“模拟电路基捶20091020第13次课.ppt

Chap4 MOSFET及其放大电路;一、FET原理及特性曲线 了解FET的分类、电路符号；了解N沟道增强MOSFET的工作原理及N沟道JFET；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。 以N沟道增强型MOSFET为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。;三、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。;1. 半导体PN结及二极管2. BJT及其放大电路;PN结：半导体器件的基本结构;工作原理 放大电路的构成 放大电路的分析和设计方法;FET分类;(a) 输入电阻高：JFET→106 ~109 W；IGFET→1012 ~1015 W；;一. 结构 ;P;二. 工作原理 ;1. vGS=0 , vDS≠0;P;P;P;P;P;P;P;增强型NMOS管工作原理动画演示;G;1. VGS VTN时，由于未形成导电沟道，所以不管VGS的大小如何，iD=0。;①当VDS很小（几百mV以内） 时，反型层的厚度在整个沟 道上基本不变，漏极???流iD随 VDS的增加而增大。;导电沟道形成过程;③当VDS↑到使氧化物与漏极之间的电压等于VTN时，靠近漏极端的反型层电荷密度为0，即iD关于VDS的特性曲线的斜率为0，称该状态为夹断状态。;④当VDSVDS(sat)后，VDS再↑，沟道中反型层电荷密度为0的点向源极方向移动。此时，源极的电子进入沟道向漏极移动，到达反型层电荷密度为0的点后进入耗尽层（空间电荷区），在电场的作用下进入漏极。 ;3. VGS≥VTN时，不同的VGS对应不同的特性曲线。 ;截止区;(2) 放大区(饱和区、恒流区);O;四. 电流-电压关系;例4.1 已知 VTN＝0.75V，W＝4?m，L= 4?m，tox=450?， ?ox=3.5×10-13F/cm ，?n=650cm2/(V.s) 。 VGS=2VTN，场效应管处于放大状态。试计算电流iD。