EMMIOBIRCH原理和应用.ppt

EMMI/OBIRCH的原理及应用; 半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而激光扫描显微技术（IR-OBIRCH: Infra-Red Optical Induced Resistance Change）和光发射显微技术（PEM: Photo Emission Microscope） 作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，因而在器件失效分析中得到广泛应用。它具有迅速（只需通过一次成像就能检查复杂IC的发光）、有通用性（能与测试仪相连）、洁净（不需薄膜）、简单（与探针无相互作用，不会人为产生问题）、灵敏（漏电流可以小至uA量级）等优点。;Failure Analysis Flow;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH???EMMI的区别;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Construction and BASIC-Principle of IR-OBIRCH;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Principle of Lock-in Detection Method;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Case Study of IR-OBIRCH;CSMC Real Case Study;CSMC Real Case Study;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Construction of Photo Emission;Principle of Photo Emission;Forward biased PN junction; Latch-up of CMOS device;Current leakage at reversed biased PN junction;Micro plasma leakage at oxide layer;Hot electrons;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Comparison of C-CCD/MCT/InGaAs2;FAB1 FAI EMMI Emission Leakage at PN junction ESD Damage Hot Carrier Leakage at Oxide Tunneling current/Avalanche breakdown;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Real Case Study;Real Case Study;Real Case Study;OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别;Difference between IR-OBIRCH and EMMI;Comparison of LCD/OBIRCH and EMMI;QA