《电工电子学》导体绝缘体及半导体的能带论解释.pptVIP

§6.7 导体、绝缘体和半导体的能带论解释; 在有电场存在时，由于不同材料中电子在能带中的填充情况不同，对电场的响应也不同，导电能力也各不相同。;1. 满带; 这表明，近满带的总电流就如同一个带正电荷e，其速度为空状态k的电子速度一样。 在有电磁场存在时，设想在k态中仍填入一个电子形成满带。而满带电流始终为0，对任意t时刻都成立。;而在能带顶附近，电子的有效质量为负值，m* 0。;结论：当满带顶附近有空状态k时，整个能带中的电流以及电流在外电磁场作用下的变化，完全如同一个带正电荷e，具有正有效质量?m*?和速度v(k)的粒子的情况一样。我们将这种假想的粒子称为空穴。 空穴导电性：满带中缺少一些电子所产生的导电性； 电子导电性：导带底有少量电子所产生的导电性。 引入空穴概念后，在金属自由电子论中所无法解释的正Hall系数问题，就很容易解释了。在金属中参与导电的载流子既可以是电子，也可以是空穴。 空穴是一个带有正电荷，具有正有效质量的准粒子。它是在整个能带的基础上提出来的，它代表的是近满带中所有电子的集体行为，因此，空穴不能脱离晶体而单独存在，它只是一种准粒子。 ;是指一个能带宽度(单位是电子伏特(eV))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev；氧化亚铜的禁带宽度为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属，反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。;禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。;二、导体、绝缘体和半导体;非导体：电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再 高的各能带都是没有电子填充的空带。 导 体：电子除填满能量最低的一系列能带外??在满带和 空带间还有部分填充的导带。 半导体：其禁带宽度一般较窄：Eg介于0.2 ~ 3.5 eV之间  常规半导体：如 Si：Eg ~ 1.1eV；  Ge： Eg ~ 0.7 eV；GaAs： Eg ~ 1.5 eV 宽带隙半导体：如?－SiC： Eg ~ 2.3 eV； 4H－SiC： Eg~ 3 eV 绝缘体：禁带宽度一般都较宽， Eg 几个eV。 如?－Al2O3： Eg~ 8 eV；NaCl： Eg~ 6 eV。; 如果半导体中存在一定的杂质，电子在能带中的填充情况将有所改变，可使导带中出现少量电子或价带中出现少量空穴，从而使半导体有一定的导电性，称为半导体的非本征导电性。; 而绝缘体的带隙都很宽，Eg ~几个eV，在一般情况下，电子很难从价带顶被激发到空带中，所以，绝缘体一般都没有可观察到的导电性。;金属的电阻率;其中;电子受声子散射的几率正比于平均声子数。温度升高，每个格波的平均声子数增加，电子受声子散射的几率增大，电子在相邻两次散射间的平均自由时间减小，因此金属的电阻率就增大。所以，高温下; 另一方面，由于对金属电导有贡献的只是在费米面附近的一小部分电子，其波矢近似等于费米波矢，k?kF。而当T?D时，只有能量很低的长波声学声子才能被热激发，这些声子的波矢qqm。可以认为， kF与qm同数量级，因此， 长波声子的波矢q 电子的波矢k。而每次散射电子损失的准动量为; 对于实际金属，电子除受声子散射外，还受晶体中的杂质与缺陷的散射。在杂质浓度较低时，可以认为声子的散射与杂质的散射对金属电阻的影响是彼此独立、分别起作用的。;因此几乎所有杂质原子都处于基态。如果电子在与杂质的散射中把能量交给杂质原子，电子能量将失去过多，以致费米球内没有空态可以接纳它。因此，杂质散射所产生的电阻与温度无关，它是T?0时的电阻值，称为剩余电阻。; 在金属中，其导带部分填充，导带中有足够多的载流子（电子或空穴），温度升高，载流子的数目基本上不增加。但温度升高，原子的热振动加剧，电子受声子散射的几率增大，电子的平均自由程减小。因此，金属的导电率随温度的升高而下降，与半导体的本征导电率随温度的升高而迅速上升是明显不同的。