集成电路制造工艺之-扩散.pptVIP

第三章 扩散 ;3.1、杂质扩散机构 3.2、扩散系数与扩散方程 3.3、扩散杂质的分布 3.4、影响杂质分布的其他因素 3.5、扩散工艺 3.6、扩散工艺的发展 3.7、与扩散有关的测量;3.1、杂质扩散机构; 常见元素在硅中的扩散方式;杂质在硅中的固溶度： 在给定温度下的最大杂质浓度;P在硅中的扩散曲线;多晶硅中的杂质扩散;间隙式扩散;对间隙杂质来说，间隙位置是势能极小位置，相邻的两个间隙之间是势能极大位置。间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6 ~ 1.2eV。 间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置。; 温度越高，间隙杂质的跳跃率越高，间隙式扩散越容易。;替位式扩散;对替位杂质来说，在晶格位置上势能相对最低，而间隙处是势能最高位置。 与间隙杂质相同，替位杂质要从一个格点位置运动到近邻格点上，必须要越过一个势垒。势垒高度为Ws。 替位杂质的运动比间隙杂质更为困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。;平衡时单位体积的空位数为： N是单位体积内所含的晶格数，Wv代表形成一个空位所需要的能量。 则每个格点上出现空位的几率为： 根据玻尔兹曼统计规律，替位杂质依靠热涨落跳过势垒Ws的几率为： 替位杂质的跳跃率为出现空位的几率乘以跳入该空位的几率