拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案中文选编.ppt

第二章 作业答案 2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解： NMOS管： 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V时，NMOS管工作在截止区，则ID=0 当VGS0.7V时， NMOS管工作在饱和区，NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则 PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚阈值导电 当| VGS | 0.8V 时，PMOS管工作在截止区，则ID=0 当| VGS | ≥0.8V时， PMOS管工作在饱和区，PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro 解：本题忽略侧向扩散LD 1）NMOS 2）PMOS 2.3 导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝L 解： 2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点 解：以NMOS为例 当VGSVTH时，MOS截止，则ID=0 当VTHVGSVDS+VTH时，MOS工作在饱和区 当VGSVDS+VTH时，MOS工作在三极管区（线性区） 2.5 对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假设Vx从0变化到1.5V。 （VDD=3V） (a) 上式有效的条件为 即 (a)综合以上分析 VX1.97V时，M1工作在截止区，则IX=0, gm=0 VX1.97V时，M1工作饱和区，则 (b) λ=γ=0, VTH=0.7V 当0VX1V时，MOS管的源-漏交换 工作在线性区，则 当1VVX1.2V时,MOS管工作在线性区 当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区 (C) λ=γ=0, VTH=0.7V 当VX0.3V时，MOS管的源-漏交换，工作在饱和区 当VX≥0.3V时，MOS管工作截止区 (d) λ=γ=0, VTH=-0.8V 当0VX≤1.8V时，MOS管上端为漏极，下端为源极，MOS管工作在饱和区 当1.8VVX≤1.9V时，MOS管工作在线性区 当VX1.9V时，MOS管S与D交换 MOS管工作线性区 (e) λ=0, 当VX=0时,VTH=0.893V，此时MOS工作在饱和区 随着VX增加，VSB降低，VTH降低，此时MOS管的过驱动电压增加，MOS管工作在饱和区；直到过驱动VDSAT上升到等于0.5V时，MOS管将进入线性区，则有 当VX1.82V时，MOS管工作在线性区 ？？？？ 2.7 对于图2.44的每个电路，画出Vout关于Vin的函数曲线草图。Vin从0变化到VDD=3V。 解： (a) λ=γ=0 , VTH=0.7V 右图中，MOS管源-漏极交换 当Vin0.7V时，M1工作在截止区，Vout=0 当0.7Vin≤1.7V时，M1工作在饱和区，则 当1.7VVin3V时，M1工作在线性区，则 2.7 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V 当0Vin1.3V时，M1工作在线性区，则 当Vin≥1.3V时，M1工作在饱和区，则 2.7 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V 当0Vin2.3V时，M1工作在线性区，则 当Vin≥2.3V时，M1工作在饱和区，则 2.7 (d) λ=γ=0 , VTH=-0.8V 当0Vin1.8V时，M1工作在截止区，则 M1工作在饱和区边缘的条件为Vout=1.8V，此时假设Vin=Vin1，因而 当1.8VVinVin1时，M1工作在饱和区 当Vin1Vin时，M1工作在线性区 2.9 对于图2.46的每个电路，画出IX和VX关于时间的函数曲线图。C1的初始电压等于3V。 (a) λ=γ=0 , VTH=0.7V，VbVTH 当Vb-0.7 ≤ VX≤3V时，M1工作在饱和区 当VX Vb-0.7时，M1工作在线性区，则 当VX Vb-0.7时，M1工作在线性区，则 2.9 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V 当 VX初始电压为3V，M1工作在饱和区 t=0时, VX=3V, 2.9 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V 当 VX初始电压为3V，VDS=0V，M1工作在深线性区 2.9 (d) λ=γ=0 , VTH=0.7V IX=I1 2.9 (e) λ=γ=0 , VTH=0.7V 电容C1的初始电压为3V 初始状态（时间t=0），如右图所示，电容C1的充电电流IC1=0，此时M1的漏电流IX=I1；同时VX=Vb-VGS1+