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- 2017-04-26 发布于上海
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448429$凌钻小7$晶体管单级放大器设计
晶体管单级放大器设计 ;一、电路工作原理及基本关系式 ;1. 工作原理 ; 该电路利用电阻RB1、RB2的分压固定基极电位VBQ。
如果满足条件I1IBQ,当温度升高时,
ICQ↑–VEQ↑(VBQ不变)–VBE↓–IBQ↓–ICQ↓,结果抑制了ICQ的变化,从而获得稳定的静态工作点。 ;2. 基本关系式 ;2. 基本关系式 ;2. 基本关系式 ;二、性能指标与测试方法 ; 电压放大倍数 ; 测量电压放大倍数,实际上是测量放大器的输入电压与输出电压的值。在波形不失真的条件下,如果测出Vi (有效值)或Vim(峰值)及Vip-p(峰-峰)与Vo(有效值)或Vom(峰值) Vop-p(峰-峰),则 ;1、 输入电阻 ;即 在信号源输出与放大器输入端之间,串联一个已知电阻R(一般以选择R的值接近Ri的值为宜),如上图所示。 ; 在输出波形不失真情况下,用晶体管毫伏表或示波器,分别测量出Vi与Vs的值,则 ;2、 输出电阻 ;Vo为放大器负载开路时的输出电压的值;VoL为接入RL后放大器负载上的电压的值
则 ;3、频率特性和通频带 ; 放大器的频率特性如图所示,影响放大器频率特性的主要因素是电路中存在的各种电容元件。 ;通频带
BW = fH – fL
式中,fH为放大器的上限频率,主要受晶体管的结电容及电路的分布电容的限制;
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