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离子注入技术[Implant]
离子注入技术(Implant);;1 综述;2 基本原理和基本结构; 离子束加工方式可分为
1、掩模方式(投影方式)
2、聚焦方式(FIB,Focus Ion Beam);基本结构:离子注入系统(传统);聚焦系统:用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。
偏转扫描系统:用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。
工作室:放置样品的地方,其位置可调。;离子注入系统示意图;离子注入系统实物图;2.1 离子源; LMIS 的类型、结构和发射机理;2.2 注入离子浓度分布;注入离子分布(高斯型);2.3 退火工艺;一个离子引起的晶格损伤;退火前后的比较;; 离子注入的缺点;半导体掺杂工艺:
大规模集成电路
固体材料表面改性:
抗腐蚀、硬度、耐磨、润滑
光波导:
光纤传感器
太阳能电池;离子注入机设备与发展;GSD/200E2离子注入机技术指标;3.160KeV注入机的最大束流;离子注入机设备与发展;离子注入机设备与发展;未来电子技术发展水平的瓶颈;
未来高精工艺的发展方向;
未来尖端技术如航空航天、军事等领域所必须的基础。;Thank you!
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