“模拟电子技术”总复习.pptVIP

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  • 2017-04-25 发布于四川
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“模拟电子技术”总复习

《模拟电子技术》 期末总复习 模拟电子技术 题型: 一、填空题(12、14分) 二、选择题(16分) 三、分析题(18、16分)(3、2题) 四、计算题(44分) (5题) 五、设计题(10分) (1题) 期中前约 50% 期中后约50% 1 绪论 一、电子电路中的信号:模拟信号和数字信号 二、放大电路性能指标: 1、电压放大倍数Au 电压增益=20lg|Au| (dB) 2、输入电阻ri 3、输出电阻ro 4、通频带 5、失真: 失真 线性失真 非线性失真: 幅度失真: 相位失真: 半导体的性质:负温度系数、光敏特性、掺杂特性 一、半导体与本征半导体: 半导体的共价键结构: 惯性核 价电子 3 二极管及其电路 本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子 自由电子 空穴 本征激发 复合 本征半导体中电流由两部分组成: 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 动态平衡 二、 杂质半导体 P 型半导体(空穴导电型半导体) :掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。 N 型半导体(电子导电型半导体) :掺5价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。 施主原子(离子) 多数载流子(多子):自由电子, 少数载流子(少子):空穴。 受主原子(离子) 多子:空穴,少子:自由

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