晶體管及其小信号放大 -场效应管放大电路.pptVIP

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2017-04-23 发布于上海
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晶體管及其小信号放大 -场效应管放大电路

晶体管及其小信号放大－场效应管放大电路 ;场效应晶体管(FET);§4 场效应晶体管及场效应管放大电路;一、结构;UGS;UGS;N;UGS ,但UDS增加到 UGS - ,即 UGD= UGS – UDS = 靠近漏极的沟道夹断.;三、特性曲线和电流方程; 结型场效应管的缺点：;最常见的绝缘栅型场效应管是MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为增强型 ? N沟道、P沟道耗尽型 ? N沟道、P沟道;一 N沟道增强型MOSFET;2 工作原理 ;(3) VGS VGS（th)0时， VDS0 ;输出特性曲线;转移特性曲线;二 N沟道耗尽型MOSFET;输出特性曲线;P沟道MOSFET;2.2.5 双极型和场效应型三极管的比较; § 4.1.4 场效应管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ;二场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数 ;半导体三极管图片;半导体三极管图片;§4.2 场效应放大电路;4.2.2 场效应管的直流偏置电路及静态分析;二分压式偏置电路;4.2.2 场效应管的低频小信号等效模型;31; 很大，一般可忽略;4.2.3 共源极放大电路;s