集成电路基础制造工艺.pptVIP

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2017-04-23 发布于四川
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集成电路基础制造工艺.ppt

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集成电路基础制造工艺

典型的双极集成电路中晶体三极管的主要制造过程;PN结隔离工艺简单，与元件制作工艺基本相容，是目前应用最多的隔离方法。 ; 1．2 MOS集成电路的基本制造工艺 ; 1．2 MOS集成电路的基本制造工艺 ;NMOS管结构示意图;NMOS剖面示意图;根据阱的导电类型CMOS可分为P阱CMOS、N阱CMOS和双阱CMOS电路。 (P阱上做NMOS)P阱CMOS与NMOS器件有良好的兼容性。(N阱上做PMOS)N阱CMOS与PMOS器件有良好的兼容性。双阱工艺是在衬底上制做出P阱和N阱。P阱上做NMOS管， N阱上做PMOS管。这样可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使CMOS电路达到最优的特性。;制做典型的P阱硅栅CMOS需要五十多道工序，需要十次光刻。;CMOS集成电路工艺 ;CMOS集成电路工艺 ;1．3 Bi-CMOS工艺 ;1．3 Bi-CMOS工艺 ;以P阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面示意图;以N 阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面示意图;以N阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面图;三种以PN结隔离双极???工艺为基础的P阱Bi-CMOS器件剖面图;以双极型工艺为基础的双埋层双阱Bi-CMOS器件剖面图;以双极工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面示意图;1．3 Bi-CMOS工艺 ;作业题：