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第六章节电子技术中常用半导体器件
第二篇 电子技术基础第6章 ;2004年9月制作 曾令琴;6.1 半导体的基本知识6.;物质按导电能力的不同可分为导体;(1)通过掺入杂质可明显地改变;由此可以看出:半导体不仅仅是电;当半导体的温度升高或受到光照等;在纯净的硅(或锗)中掺入微量的;不论是N型半导体还是P型半导体;正负空间电荷在交界面两侧形成一;空间电荷区 PN;少子漂移 扩散与漂移达到动;扩散运动和漂移运动相互联系又相;3. PN结的单向导电性 ;P端引出极接电源负极,N端引出;讨论题 半导体的导电机理;2. 半导体在热(或光照等 );6.2 半导体二极管1. 二极;2. 二极管的伏安特性 二极管;普通二极管被击穿后,由于反向电;讨论PN结击穿现象包括哪些?击;稳压二极管是一种特殊的面接触型;注意: 稳压管稳;2. 发光二极管单个发光二极管;6.4 双极型三极管6.4.;由两块N型半导体中间夹着一块P;结论: 三极管;晶体管的电流放大原理:1、发射;6.4.3 晶体管的特性曲线;(1)放大区:发射极正向偏置,;6.4.4 晶体管的主要参数;学习与探讨 晶体管的发射;6.5 单极型三极管 ;1. MOS管的基本结构?根;绝缘栅型场效应管中,目前常用的;N沟道增强型MOS管图符号 ;由上述分析可知,N沟道增强型M;场效应管的源极S、栅极G、漏极;1. 双极型三极管和单极型三极
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