材料表面与界面---研究生教案选编.ppt

《材料表面与界面》;课程编号: 0831001203a;课程主要内容：;课程教材及主要参考书：;课程教学计划（共16讲）：;第一部分 材料表面与界面的结构;二、清洁表面;2、弛豫表面：;3、重构表面：;三、吸附表面;四、表面自由能;五、表面偏析;1.2 表面二维结构; 二维格子的数目是有限的，实际上只有5种Bravais格子，即斜形、方形、六角形、矩形以及中心矩形，其基矢如下：;表面结构命名法;1.3 常见的表面结构;4、垂直于表面的最上层与第二层的间距接近于体内的值，变动 小于5%。一些（较少）非紧密堆积的晶面，约有5% - 15% 的缩短； 5、非紧密堆积的原子比紧密堆积的原子更趋向于松弛； 6、有些晶面上吸附原子后，表面和体内的键长差别减小甚至消 失（可能是表面断裂的键由于吸附杂质原子而获得恢复）。;二、半导体表面结构;三、氧化物表面结构;四、薄膜表面结构;1.4 固体的界面;1、平移界面;2、孪晶界面;4、反演界面;二、界面的微观结构; 1、晶界原子排列的理论模型;3、大角晶界;5、晶界能与晶界电势;6、晶界偏析;三、半导体界面结构;四、超晶格界面结构;五、薄膜界面结构;1、薄膜界面的类型;2、薄膜界面形貌的分形维数表征;六、陶瓷晶界结构;第二部分 材料表面振动;;2.1 连续介质的表面波;第n个原子的牛顿运动方程为：;二、一维双原子链;三、表面晶格振动与力常数;2.2 晶体的表面振动;作业1及要求：;第三部分 金属表面的电子态;3.1 局域能态密度及积分态密度;一维无限势垒模型; 电子在Z=0---L范围内且两端具有无限高势垒中运动，其归一化波函数为：; 而实际上，金属体内的电子是处于无界面与缺陷的均匀系统中，它满足周期性边界条件，设电子处在Z=0---L’范围内，则 ，其归一化波函数为：;2、能态密度;体能态密度：;3、局域态密度; 对于一维情况，上述（8）可写为：;4、电子电荷密度; 设nb为体电荷密度，ns(z)为局域表面电荷密度，则有nb=2qF/?，且 ，代入（13）式有：;;5、积分态密度;二、一维单端有限势垒模型;1、波函数与能量本征值;五、表面能的单电子近似;?;金属处在z0处,则功函数为:;三、表面能;3.3 几种近似方法;课程开放内容;第四部分 半导体表面电子态;4.1 半导体表面准自由电子（NFE）模型; 胶体(Jellium)模型： 简单金属的价电子被共有化成电子气，与离子实的相互作用很小，因此，把价电子看成是在均匀连续分布的正背景电荷中运动，即所谓的胶体模型。;一、窄禁带半导体表面态的形成;半导体体内电子波函数的形式为：; 对上述（3）式，用禁带表示双能带函数关系如下图所示。; 上图分3段即2种情况：;一维窄禁带半导体突变势垒模型;二、窄禁带半导体表面区连续态的畸变;4.2 金属---半导体界面态;单端表面光滑势垒模型;金属---半导体界面系统中半导体禁带范围内，表面能态密度为：;;;一维窄禁带半导体突变势垒模型;金属---半导体结的一维模型;4.3 半导体表面空间电荷层及电子输运; 如果E0EF，电子由体内输送到表面，反之，若E0EF，电子由表面输送到体内。 由于电子输送的结果，在表面和靠近表面的区域形成偶电层，即在近表面附近形成空间电荷层。; 根据表面与体内的载流子密度（价带空穴p，导带电子n）的大小关系，空间电荷层分为三类：积累层、耗尽层和反型层。;二、空间电荷层中的电子输运;第五部分 表面吸附;5.1 吸附过程;二、化学吸附;5.2 吸附---脱附动力学;第六部分 薄膜与非晶的表面与界面特性;6.1 薄膜与基底的作用;6.2 单晶薄膜;6.3 多晶薄膜;;6.4 多层薄膜;13层膜;40层膜;一、插层化合物;插层的影响：;二、超晶格多层膜;6.5 非晶态;二、非晶的电子态;三、非晶的导电特性; 基底（母材）薄，镀层为Al-Zn，镀层中间断裂，为什么？;镀层;比 较;样品1;样品1;样品2;;样品特征：基底（母材）薄，镀层为Al-Zn，金相腐蚀程度轻（未作重腐蚀程度） 见 Word 文档;自学及讨论内容： -----------表面分析方法; 每个同学准备一种表/界面分析