基于DOE策略的多层薄膜残余应力对太赫兹微桥形变的影响.pdf

第35卷第3期 红外与毫米波学报 V01．35．No．3 2叭6年6月 Millim．Waves June．2叭6 J．Infhred 文章编号：100l一9014(2016)03—0326—06 基于DOE策略的多层薄膜残余应力对 太赫兹微桥形变的影响 郑 兴， 刘子骥+， 顾德恩， 苟 君， 马家锋， 黎威志， 吴志明 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘要：桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段．仿真建立了像元尺寸为 Mpa、-400 层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200Mpa、+200Mpa、+200Mpa、0 Mpa的最佳应力组 合，最小微桥单元形变(0．0385仙m)．通过各膜层残余应力控制，制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫 兹焦平面阵列，获得与仿真结果相符的极小形变微桥． 关键词：太赫兹微测热辐射计；力学仿真；残余应力；正交实验设计 中图分类号：0441，叫51文献标识码：A of thinmmresidualstress Orthogonaldesignmultilayer impact ontheTHzmicro deformation bridge ZHENG LIU GU GOU MA LI WU Zi-Ji Xing， 4， De-En， Jun， Jia·Feng，Wei-Zhi， Zhi—Ming ofElectronicThinFilmsand Devices， (StateKeyLaboratory Integrated ofElectmnicScienceand of 610054，china) university Technolog)rChina，Chengdu s仃ess iscriticalforeli皿nationofdefomation Abstract：Residual matching wiⅡl element of wasbuilt crobolometer s臼mctllre．Finitesimulationmodel micro．bridge micr0-bridge witha sizeof wasusedformechanicssimulationbasedon pixel 35斗m×35斗m．IIltellisuite orthogonal A of wasobtainedw油an stress design．IIlini枷mdefb姗ation optiIllized experimental