模拟电子技术_双极结型三极管及放大电路基础选编.ppt

第四章 双极结型三极管及放大电路基础;4.1 半导体三极管BJT;在一块半导体基片上加工两个PN结,它们的物理性质 将发生质的变化,可以制造成为三极管,具有电流放大 作用.;半导体三极管;4.1.1 BJT的结构简介;4.1.1 BJT结构简介;4.1.1 BJT结构简介;4.1.1 BJT结构简介;? 发射区的掺杂浓度最高；;;N; 结构特点：;*;双结型三极管BJT结构;外部条件;外部条件：;电流分配关系;共基极放大电路;两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;三极管的三种工作状态;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜1V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;共射极连接;练习：测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。;N;三极管的三种工作状态;共射极连???;4. 三极管的三种组态;前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。;例：VCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;7. 特征频率fT;(1) 集电极最大允许电流ICM;练习4.1.3;; 4.1.6 三极管的型号;三极管的参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;4.1.5 温度对晶体管特性及参数的影响;图 1 温度对晶体管输入特性的影响;三、温度对输出特性的影响;补充： 光电三极管;图 光电三极管的输出特性曲线;练习4.1.1;练习4.1.2;如何判断三极管的三个电极;如何判断三极管的三个电极;①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置 R × 100 或R×lk 处,先假设三极管的某极为基极,并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为基极，再重复上述测试。;②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 “R × 100”或“R × 1k” 处,以NPN管为例,把黑表笔接 在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用 手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当b、c之间接入偏置电阻 , 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次 小 , 说明原假设成立, 因为c、e 间电阻值小说明通过 万用表的电流大，偏置正常。;如何判断三极管的三个电极;静态工作点及稳定方法;(a) 可控硅符号（又名晶闸管）； (b) 可控硅的检测