模拟电子技术基础第8章场效应管及其放大电路选编.ppt

第8章 场效应管及其放大电路;8.1 绝缘栅型场效应管;2.N沟道增强型MOSFET的工作原理; 当vDS＝0且vGS0时，由于栅极和源极之间、栅极和漏极之间均被SiO2绝缘层隔开，所以栅极电流为零。;在vGSVT时，N沟道MOS管不能形成导电沟道，管子处于截止状态。;（2）vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响;(b) vDS较小(vDS vGS-VT) 时，iD随vDS变化;;(c) vDS增大到vDS=vGS-VT时，预夹断 ;(d) vDSvGS-VT时，iD饱和;结论：MOS管的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电，这与MOS管一样，所以称为单极型晶体管。;3.N沟道增强型MOSFET的特性曲线及电流方程;①截止区;③恒流区（也称饱和区）;（2）转移特性曲线; 当管子工作在恒流区时，iD基本上不受vDS的影响，因此，在恒流区内不同vDS下的转移特性曲线基本重合，可以用一条曲线代替恒流区的所有转移特性曲线。;8.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;正离子;2.N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线及电流方程;2.N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线及电流方程;例8.1 电路如图(b)所示，场效应管T的输出特性如图（a）所示，试分析当vi分别为0V，6V，10V时，vo应为多少？;例8.1 电路如图(b)所示，场效应管T的输出特性如图（a）所示，试分析当vi分别为0V，6V，10V时，vo应为多少？;例8.1 电路如图(b)所示，场效应管T的输出特性如图（a）所示，试分析当vi分别为0V，6V，10V时，vo应为多少？;8.1.3 P沟道MOSFET;导通条件：;8.1.4 MOSFET的主要参数;4）直流输入电阻RGS(DC);2）输出电阻rds ;3）漏源击穿电压V(BR)DS;N沟道JFET的结构示意图：;2.JFET的工作原理;N沟道JFET的工作原理： ;N沟道JFET的工作原理： ;（2）vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响;b) vDS =vGS－VP ; 综上所述，JFET的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电，这与MOS管一样，所以，JFET也是单极型晶体管。 ; N沟道JFET的特性曲线： ;各类场效应管的符号及特性曲线表： ;8.3 场效应管放大电路;1.固定偏压式共源放大电路;(1) 图解法求静态工作点 ;(2) 计算法求静态工作点;2.自给偏压式共源放大电路;例 8.2 共源放大电路如图所示。图中，Rg =1M?，Rs=2k?，Rd=12k? ，VDD=20V，IDSS=4 mA，VP =－4V，求ID和VDS。;3.分压式偏置共源放大电路;例 8.3 N沟道耗尽型MOS管共源放大电路如???所示，VP= －0.8V，IDSS=0.18mA；VDD=24V，Rg1 =64k?，Rg2 =200k?，Rg =1M?，Rs1=10k?，Rs2=2k?，Rd=10k? ，求静态工作点Q。;8.3.3 小信号模型和动态分析;令;化简;2.场效应管的高频小信号等效模型 ;3.应用小信号模型分析场效应管放大电路;输入电阻: ;例8.4 N沟道耗尽型MOS管共源放大电路如图所示。已知VDD=20V，Rg=1M?，Rs=2k?，Rd=12k?，RL=6k?，IDSS=4mA，VP=-4V，求电压增益、输入电阻Ri和输出电阻Ro。; (2) 分压式共源放大电路的动态分析 ;例8.5 N沟道耗尽型MOS管组成的共源放大电路如图8.3.6所示。VP= －0.8V，IDSS=0.18mA；VDD=24V，Rg1 =64k?，Rg2 =200k?，Rg =1M?，Rs1=10k?，Rs2=2k?，Rd=10k? ，RL=10k?，求电压增益、输入电阻Ri和输出电阻Ro。;;8.4 BJT与FET的组合放大电路 ;8.4.2 共源－共射组合放大电路;2.动态分析：;第二级共射放大电路的输入电阻： ;例8.6 在下图所示放大电路中，Rg1=100k?，Rg2=500k?， Rg=5.1M?，Rs=2.4k?，Rd=5k?，Rb1=20k?，Rb2=44k?，Rc=3k?，Re1=100?，Re2=2k?，RL=3k?，VDD=12V；N沟道耗尽型 MOSFET的VP=-2V，IDSS=6mA；晶体管是硅管，β=100。求该组合放大电路的电压增益、输入电阻Ri和输出电阻Ro。;则;(2) 动态分析;所以