励磁变压器过电压保护(最终稿).docVIP

 PAGE 6 励磁变压器的过电压保护 李自淳 夏维珞 符仲恩 （科大创新公司科聚分公司，安徽 合肥 230088） [摘 要] 本文分析了励磁变压器绝缘击穿的原因，探讨了过电压保护的方法，介绍阻容吸收器和三相限压器互补组合的一种有效过电压保护措施。 [关键词] 变压器；过电压；保护 前言 随着同步发电机自并励静止整流励磁方式的不断推广，励磁变压器的用量逐渐增多。随之励磁变绝缘击穿的事故也有所上升，特别是进口励磁变，由于其设计裕量较小，而且大都是三相同体，更容易发生击穿。励磁变压器的运行工况与普通变压器有何不同？为什么它的绝缘容易击穿？用什么方法可以有效地保护它不被过电压击穿？这些就是本文所要探讨的问题。 励磁变压器运行中过电压的来源 2.1 可控硅整流桥产生的换相过电压 励磁变压器的运行工况与普通变压器有一个很大的不同，就是在运行中其次级连续地、频繁地发生瞬间短路和开路，造成其输出电流频繁地高低起伏，产生极大的di/dt，由于绕组具有一定漏电感，所以在绕组内感应出连续、频繁的过电压。 图1为葛洲坝二江电厂7#水发机（125MW）励磁并联变二次a、b两相间线电压uab录波图。从图中可看出，在正常的正弦波电压上叠加了一连串的过电压尖峰，特别是在tc和tf时刻，正反向过电压峰值达到了正弦波峰值的2.3倍以上（最大值超出图框不可知）。如此高的过电压，重复频率为100Hz，连续不断地作用在励磁变的绕组上，必将使绝缘疲劳老化，最后导致击穿。 要探讨这过电压的来源，就得从励磁变的负载——可控硅整流桥和发电机励磁绕组来分析。 可控硅三相全控整流桥励磁的原理如图2所示，其整流输出的直流电压uf波形如图3所示（电源频率50Hz）。图2中励磁变压器LB次级相电势分别为ua、ub、uc，LB的漏感以及线路电感折合到次级绕组用集中电感Lb表示。正常运行时K1～K6六只管子轮流导通。 假定在t1时刻前，K1和K6导通；在t1时刻K2管子收到触发脉冲，此时 图2 可控硅全控桥整流原理图 图3 励磁电压波形图 图1 葛洲坝二江电厂7#机励磁变二次线电压uab录波图(未装GRC) Y轴：电压—500V/格 X轴：时间—2ms/??? 交流阳极电压（相电压）ub＞ua，故K2管承受正向电压，K1管承受反向电压，换流趋势是K2管导通，K1管截止。但是由于K1管在导通期间晶体内积存了大量的少数载流子（电子和空穴），不能立即恢复截止，这样在短时间内K1和K2同时导通。此时a、b两相间产生瞬时的短路，uab≈0，短路电流id 增长速度did/dt =（ub-ua）/2Lb。短路期间整流输出电压的瞬时值uf = (uac+ubc) / 2，为a、b两相对c相线电压的平均值（考虑励磁变LB次级a、b两相的短路阻抗压降相同）。K1、K2两硅管电流的波形见图4。t1时刻前K1管电流iK1等于励磁电流If，K2管电流iK2为零；t1时刻K2管触发导通，其电流iK2上升，同时iK1下降，开始换流过程。由于发电机励磁绕组LQ大电感的影响，励磁电流If可视作恒值。根据柯希霍夫节点定律， iK1 + iK2 = If = 恒值。换流的快慢即iK1及iK2的变化率（同时也是短路电流id的增长率）diK/dt = (ub-ua)/2Lb。到t2时刻iK1降到零，iK2=If，似乎换流可以结束了。但此时K1内还积存有大量的少数载流子，不能恢复截止，故短路电流id继续增长，iK1变为负值，ik2 ＞If。到t3时刻K1反向电流达到最大值，积存的少数载流子迅速复合完毕，立即恢复截止，故K1反向电流立即回零，K2的正向电流也产生一个“猛跌”回到If（据实验观察，t3?t4仅几个μs）。硅管电流ik1和ik2同时也是电感Lb内的电流，由于t3?t4此电流变化率极大，故在电感Lb中感应出极高的换相过电压?u=-Lb。据了解，如不采取适当措施，?u可达到整流变二次电压正弦波峰值的1?3倍。 可以看出t1 ～ t4就是LB二次输出短路的过程，也即图1中tc0～tc的过程，称为“重叠区”。图1中，tc0～tc及tf0～tf为ab相的输出短路，uab降到几乎为零；ta及td前为ac相的输出短路，tb及te前为bc相的输出短路，此时uab也均下降，但不为零，过电压也不太高（此时换相过电压发生在ac相或bc相之间），详细可参阅“电力电子技术”的有关书籍[1]。 2.2 其它过电压 除了上述励磁整流变压器特有的换相过电压外，其它普通变压器可能出现的过电压，如开关投切的操作过电压、从高压电网窜入的大气过电压、高压出线短路、接地等的故障过电压等等，也都能作用到励磁变压器上。 图4 K1、K2硅管电流波形图 图5 G