模拟电路课件[计算机专业]3.电子电路.12.pptVIP

第三章 半导体器件;第三章 半导体器件;§1 半导体基础知识（模电1.1）;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn;问题;§2 半导体二极管（模电1.2）; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路;四、二极管的主要参数;讨论：解决两个问题;五、稳压二极管;;§1.3 晶体三极管（模电1.3、2.3.3）; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、晶体三极管的等效模型（模电2.3.3）;2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）;;h参数的物理意义;简化的h参数等效电路－交流等效模型;五、温度对晶体管特性的影响;六、主要参数;清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn;讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性;利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。;BJT管特点 1）是“电流控制型”器件（IB控制IC）； 2）要得到所需的放大（控制）特性，三个极外加电压极性必须正确，且管子处于放大区； 3）要取得大的控制电流，输入阻抗不能太高； 4）极间漏电流是十分有害的。;; §1.4 场效应管（模电1.4、2.6.3） （以N沟道为例）; 场效应管也有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;g-s电压控制d-s的等效电阻;二. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型 MOS管;MOS管的特性;利用Multisim测试场效应管的输出特性;三. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;四、场效应管的交流等效模型（模电2.6.3）;场效应管特点 1）是“电压控制型”器件（UGS控制ID）； 2）要得到所需的放大（控制）特性，三个极外加电压极性必须正确，且管子处于放大区； 3）由于输入阻抗较高，更适用于小功率场合，但需注意静电保护； 4）单管的放大倍数比BJT管小。;