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霍尔效应及传感器 PAGE 6 华南理工大学广州学院电气工程系生产实习报告 霍尔效应及传感器 一、霍尔效应 霍尔效应物理原理 1879年,美国普多金斯大学研究生的霍尔,?在研究载流导体在磁场中的受力性质时,?发现了霍尔效应.?当一电流垂直于外磁场方向而流过导体时,?在垂直于电流和磁场的方向导体的两侧会产生一电势差,?这种现象称为霍尔效应,?而所产生的电势差称为霍尔电压。? 把一块宽为b，厚度为d?的半导体试样放在磁感应强度为的磁场中，并在磁场中通过横向电流，则在这块半导体试样横向侧面间出现了一定的电势差,这个现象就叫做霍尔效应，称为霍尔电压。实验表明，霍尔电压的大小正比于磁感应强度的大小以及电流，在、、?三者之间的互相垂直有：? ? ????????? (1-1)式中的称为霍尔元件的灵敏度。? 霍尔电压的产生是由于半导体中的载流子受到伦兹力Fm的作用而偏转，使试样横向两侧面分别累积了正、负电荷，在前后两侧面之间建立起电场强度为E的电场，当载流子受到电场力Fe?与洛伦兹力Fm平衡时，两侧面之间的电压即为霍尔电压，可以证明? ?????????????(1-2)式中，n为载流子浓度，q为载流子电荷，因此霍尔元件的灵敏度又可以表示为? ?????? ??????????????(1-3)若知道了霍尔元件的,?测得和?,?就可算出磁场?的