高等半导体第四章答辩.ppt

第四章 半导体超晶格;§1 引言  * 1970年IBM公司江崎(Esaki), 朱兆祥(Tsu) ： “Superlattice and Negative Deferential Conductivity in Semiconductors” ， 周期性地外延生长半导体超晶格：微带结构, 布里渊区大大缩小, 负微分电导 * 1971年第一个GaAs/AlxGa1-xAs人工周期结材料 （L. Esaki, L.L.Chang. R.Tsu, 12th Low Temp. Phys. Kyoto, Japan P.551） * 1972年观察到负微分电导, 输运的振荡现象, 微带结构 随后，新颖的物理现象被揭示，新理论被提出，与之相应的高性能的新型器件被研究和开发。 ;直条影区指具有相近晶格常数但不同能隙宽度的材料 在区内材料原则上都可组成异质结超晶格 图1中的连线是指这些材料都可形成特定的合金;超晶格分类;1）组分调制超晶格 按异质结中两种材料导带和价带的对准情况，江崎把异质结分为三类： Ⅰ型异质结: 窄带材料的禁带完全落在宽带材料的禁带中，ΔEc和ΔEv的符号相反。不论对电子还是空穴，窄带材料都是势阱，宽带材料都是势垒，即电子和空穴被约束在同一材料中。载流子复合发生在窄带材料一侧。 GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。;超晶格;Ⅱ型异质结（ΔEc和ΔEv的符号相同），分两种： *ⅡA类超晶格：材料1的导带和价带都比材料2的低，禁带是错开的。材料1是电子的势阱，材料2是空穴的势阱。电子和空穴分别约束在两材料中。超晶格具有间接带隙的特点，跃迁几率小，如GaAs/AlAs超晶格。;;;2）掺杂调制超晶格;3）应变超晶格 一般认为，晶格常数的失配度小于5%为晶格匹配，失配度大于5%为晶格失配。 应变超晶格，在晶格常数失配度小于7%的范围内，其中的一种或两种材料内存在应变，以补偿晶格常数的失配，从而使得界面不产生位错与缺陷。  如：Si/Ge, GaP/InP;§2 异质结 - 超晶格的基本单元  （参考《半导体异质结物理》， 虞丽生， 科学出版社）;2.1 理想突变异质结能带图;;;Anderson定则推出来的许多异质结的能带带阶都和实验数据不符合，但不失作为异质结研究发展初期的一个有用的概念。利用它对异质结能带图进行分析得到的一些基本图象还是有意义的。 能带图中出现的尖峰的解释：Anderson模型 耗尽层理论 ;;能带带阶的理论定律和实验测量是最近几年来很受重视的研究方向。 由于异质结形成时，在界面上发生电荷转移以及形成界面缺陷等复杂因素，至今带阶仍是一个实验和理论上都较难精确确定的量。;带阶计算的理论方法; 1）Harrison 理论 用紧束缚计算金刚石、闪锌矿结构的半导体(ab)中价带顶点Γ点的能量：;Vxx 为A，B原子Px态最近邻的重叠积分。;平均原子能量项;;2）Tersoff方法：Tersoff 提出在形成结时有偶极子的形成，根据电中性条件及从偶极子极小的原则出发，两种材料中代表界面和空位能级的正则能量应相等，根据这一点出发求出带阶。 3) 自洽界面计算（严格但计算工作量大）：要真正了解超晶格界面带阶的性质，只能由自洽的第一原理来计算。Walle和Martin在局域密度泛函理论的基础上，采用非局域、归一守恒、从头算（ab-initio）的离子赝势，对一系列晶格匹配和晶格不匹配的超晶格进行自洽赝势的能带计算。;;;对器件设计者更重要的是测量出实际的异质结的能带带阶的数值。测量能带带阶的方法有以下几种： 光谱方法：量子阱光跃迁光谱 光电子发射谱方法：X射线光电子发射谱（XPS） 电学方法：电容-电压法，电流-电压法;1）量子阱光跃迁光谱：把异质结生长成在两个宽带材料之间夹一个极薄的窄带区。导带和价带的能带带阶在窄带区分别形成电子和空穴的势阱。当窄带材料的厚度足够薄时，势阱中的载流子在垂直于异质结结面方向上的运动将会受到限制，该方向的运动能量将会量子化。;超越方程需数值求解;图5 量子阱中的量子能级和光跃迁;2) X射线光电子发射谱（XPS）：比较准确 ~0.02eV 价带带阶不易直接测。而A、B两种材料的内层电子核心能级锐，易分辨。 带阶可以表示成 右边的第一项和第二项可通过对每种材料单独测出。 ΔEB 为两个特定核心能级的差，可通过XPS测出。 ;原理简单，但实验中有一些不确定的因素： XPS主要在表面附近约2nm（光电子的逃逸深度）处进行。而在表面附近，由于电荷分布的变化，会造成能带在表面附近的弯曲（延伸到100nm），则实验测得的核心能级和价带能