3薄膜的物理气相沉积（Ⅱ）溅射法及其他P.ppt

第三章 薄膜的物理气相沉积（Ⅱ） ——溅射法及其他PVD方法;溅射法：带有电荷的离子被电场加速后具有一 定动能，将离子引向欲被溅射的靶电极。在离 子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原 子的碰撞过程中将后者溅射出来。溅射原子带 有一定动能，且沿一定方向射向衬底，实现衬 底上薄膜的沉积。 ;3.1 气体放电与等离子体;Ar;3.1.1 气体放电现象描述;3.1.2 辉光放电现象及等离子体鞘层;等离子体：由离子、电子以及中性原子和原子团 组成，宏观上对外呈现出电中性。 电子由于极易在电场中加速而获得能量，因而 平均速度比较快。 离子能量及平均速度均远远低于电子。;鞘层电位;鞘层电位;薄膜的物理气相沉积;正离子与二次电子复合;3.1.3 辉光放电的碰撞过程;弹性碰撞：参加碰撞的粒子的总动能和总动量保持不变，并且不存在粒子内能的变化，即没有粒子的激发、电离或复合过程发生。 两粒子弹性碰撞后： ;非弹性碰撞：部分电子动能转化为粒子内能。 内能增加的最大值;非弹性碰撞的典型过程： （1）电离过程 e- + Ar → Ar+ + 2e- （2）激发过程 e-+ O2 → O2* + e- （3）分解过程 e-+ CF4 → CF3* + F* +e- ;3.2 物质的溅射现象;Si单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系;3.2.1 溅射产额;（1）入射离子能量;;（2）入射离子种类和被溅射物质种类;;（3）离子入射角度;90°;（4）靶材温度;3.2.2 合金的溅射和沉积; 溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降；而溅射产额低的元素得到了富集，溅射速率上升。 结果：尽管靶材表面的化学成分已经改变，但溅射出来的物质成分却与靶材的原始成分相同。;例如，合金靶材成分为80％Ni-20％Fe， Ar+离子能量lkeV，元素溅射产额：S(Ni)=2.2，S(Fe)=1.3。 预溅射之后，靶材表面的成分比将逐渐变为Ni/Fe=80×1.3/20×2.2=2.36，即70.2％Ni-29.8％Fe。在这之后，溅射的成分将能够保证沉积出合适成分的薄膜。;①溅射原子具有很宽 的能量分布范围，平 均能量约为10eV； ②随着入射离子能量 增加，溅射离子的平 均能量也有上升趋势。;高能量原子对衬底的撞击提高了原子在沉积表面的扩散能力，但也会使衬底的温度升高。;溅射沉积方法的主要特点： (1)沉积原子的能量较高，因此薄膜的组织更致密、附着力也可以得到显著改善。 (2)制备合金薄膜时，其成分的控制性能好。 (3)溅射的靶材可以是极难熔的材料。因此，溅射法可以方便地用于高熔点物质的溅射和薄膜的制备。 (4)可利用反应溅射技术，从金属元素靶材制备化合物薄膜。 (5)由于被沉积原子携带一定能量，因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜表面的粗糙度。;薄膜的物理气相沉积;3.3 溅射沉积装置;3.3.1 直流溅射;低压条件下溅射速率很低。 (1)阴极鞘层厚度较大，原子的电离过程多发生在距离靶材很远的地方，离子运动至靶材处几率较小； (2)电子自由程较长，电子在阳极消失几率较大，离子阴极溅射发射二次电子几率较小，原子电离几率很低。 随着气体压力的升高，电子的平均自由程减小，原子的电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率提高。 当气体压力过高时，溅射原子在飞向衬底的过程受散射过多，沉积几率下降。;★随着气压的变化，溅射的沉积速率出现极值，沉积速度与溅射功率(或溅射电流的平方)成正比，与靶材和衬底之间的间距成反比。;缺点： 1. 不能独立地控制各个工艺参量，包括阴极电压、电流以及溅射气压。 2. 使用的气体压力比较高（10Pa左右），溅射速率较低，不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。;典型工作条件： 工作气压0.5Pa， 溅射电压1500V， 靶电流密度2.0mA/cm2， 薄膜沉积速率0.3μm/min。;;3.3.2 射频溅射;当交流电源的频率低于50kHz时： 气体放电的情况与直流情况无根本改变，气体中的离子仍可及时到达阴极完成放电过程。唯一的差别只是在交流的每半个周期后阴极和阳极的电位互相调换。这种电位极性的不断变化导致阴极溅射交替式地在两个电极上发生。;当频率超过50kHz，放电过程出现两个变化： 1. 在两极之间不断振荡运动的电子将可从高频电场中获得足够的能量并使气体分子电离，二次电子对维持放电过程的重要性下降。 （溅射气压较低，沉积速率较高） 2. 高频电场可由其他阻抗形式耦合进入沉积室，不要求电极一定是导电体。 （摆脱靶材导电性的限制）;射频法可以被用来产生溅射效应的另一个