低压低功耗CMOS带隙电压基准及启动电路设计.pdf

3 1 1 1 2 2 2 1 第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 10 2005 年 10 月 CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS Oct. ,2005 低压低功耗 CMOS 带隙电压基准及启动电路设计 许长喜 (南开大学微电子科学系 , 天津 　300071) 3 摘要 : 介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路 ,并提出了一种新颖的启动电路结构. 电路采用预先设置电路工 作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题 ,从而保证电路能够正常工作. 文中给出详细的分 2 2 2 2 ν 析和电路实现 ,并给出了一种电路简并点和启动裕度分析的 SPICE 仿真方法. 电路采用 0 25μm CMOS 工艺设计 并流片. 最后对电路的测试结果进行了比较和分析. 关键词 : 低压低功耗 ; 带隙电压基准 ; 启动电路 ; SPICE 仿真 EEACC : 2570D ; 1280 中图分类号 : TN402 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 0253 4177 (2005) 10 2022 06 用 0 25μm CMOS 工艺进行设计并流片 ,测试结果 1 　引言 表明在 0～100 ℃的温度范围内 ,电路能够可靠工作 并提供 14pp m/ K ,0 987V 的电压输出. 带隙基准可以在温度及电源电压变化环境中提 供稳定的参考电压 ,因此广泛应用于各种模拟集成 2 　电流模带隙基准原理 电路 、数 模 混 合 信 号 集 成 电 路 和 系 统 集 成 芯 片 (SOC) 中 ,其精度直接决定了整个系统的精度. 随 带隙基准的基本原理[ 1 ] 是利用 p n 结电压的负 着集成电路工业的发展 ,SOC 将成为今后集成电路 温度系数和不同电流密度下两个 p n 结电压差的正 设计的主流 ,而数字 CMOS 工艺在 VL SI 制造中占 温度系数相互补偿 ,从而得到温度漂移很低的输出 有绝对主导地位 ,因此 ,设计与标准数字 CMOS 工 电压. 理论证明 ,这个输出电压值约等于硅的带隙电 艺兼容的高精度带隙基准电压源知识产权模块 ( IP) 压 ,所以这种电路