第5章 光电成像系统 幻灯片.pptVIP

?;第5章 光电成像系统 ;0 光电成像器件的发展;1934年研制出光电像管，应用于时内外的广播电视摄像。它的灵敏度相当低，要达到现在图像信噪比的要求，需要不低于10000 lx的照度，这是它的应用范围受到很大限制。 1947年超正析摄像管面世，使最低照度降至2000 lx。 1954年灵敏度较高的视像管投入市场。其成本低，体积小，灵敏度和分辨率都较高，但不是适用于高速场合和彩色应用。;1965年，氧化铅管成功代替正析摄像管，广泛应用于彩色电视摄像机。它使彩色电视广播摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年前后，又相继出现灵敏度更高，成本更低的硒像管和硅靶管。 1970年，美国贝尔实验室发表电荷耦合器件（CCD）原理，从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶段——CCD固体摄像器件的发展阶段。;成像转换过程有四个方面的问题需要研究： ;;像管和摄像管的区别：;摄像器件分类： ;直径( 英寸)：3,1.5,1,2/3,1/2。 超正析像管：惰性小噪声大。 视像管：电场和长磁场聚焦； 网电极保证电子束垂直上靶。 固体摄像器件：无须扫描和 聚焦(按像素移位)，光谱响应 宽，功耗低，可集成处理电路。 有电荷耦合 (CCD)和CMOS 摄像器件，它是发展方向。;§1 固体摄像器件;一、电荷耦合摄像器件 ;他们首先提出的一种器件结构是采用相同的电极和三相时钟系统，为隔离各个电荷包，最少需要三相