第6章逻辑门电路_ST_2015材料.pptVIP

第6章 逻辑门电路;？;本章学习重点;门电路：实现基本运算、复合逻辑运算的单元电路。 基本和常用门电路有：与门、或门、非门、 与非门或非门、与或非门、异或门…… ;电路中高、低电平的实现;6.1概述;门 (电子开关);开关 作用;1. 晶体管的放大作用;2. 晶体管的开关作用;6.2半导体二极管门电路;二极管具有单向导电性;半导体二极管的开关特性：; 静态特性;可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压Vi控制的开关。当外加电压Vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。 ;存储时间;？;Y=AB;Y=A+B; 高低电平偏移 ;双极型三极管的开关特性(掌握） TTL反相器的电路结构和工作原理(理解) TTL反相器的静态输入特性和输出特性(理解) TTL反相器的动态特性(理解) 其他类型的TTL门电路(了解);双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳;基区薄 低掺杂;半导体三极管(Transistor)的结构;双极型半导体三极管的掺杂;;1. 双极型三极管T的放大特性 ; (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线;ui;三极管CE之间相当于一个开关：在饱和区“闭合”，截止区“断开”;三极管的三种工作状态; 三极管工作在放大区， 其特点为:IC＝βIB。 三极管工作在放大区的条件为：发射结正偏，集电结反偏 ; 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 ;半导体三极管的伏安特性; 三极管的基本开关电路 【“非”门电路】;开关 作用;截止状态;TTL集成门电路概述;集成逻辑电路的发展(按集成度的高低);集成逻辑门电路的分类;; 电路结构： 如图所示，它由输入级、中间级和输出级三部分组成。;(1) 输入级： 输入级由三极管T1、 D1和电阻R1 组成； (2) 中间级： 中间级由T2、 R2和R3组成。T2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号，作为T4和T5的驱动信号； (3) 输出级： 输出级由D2、T4、T5和R4组成，这种电路形式称为推拉??电路。 ;（1）输入低电平0.2V 时 T1发射结导通，VB1=0.9V，所以T2、T5都截止。由于T2截止，流过R2的电流较小，可以忽略，所以VB4≈VCC=5V ，使T4和D2导通，则有： VO≈VCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V） 。——关态 实现了非门的逻辑功能之一： 输入为低电平时， 输出为高电平。;（2）输入为高电平3.4V时 T2、T5导通，VB1=0.7×3=2.1（V ）， 由于T5饱和导通，输出电压为：VO=VCES5≈0.3V, ——开态 实现了非门的逻辑功能的另一方面： 输入为高电平时，输出为低电平。;TTL非门举例——74LS04; 1.与非门;（1）有一个输入端输入低电平;（2） 两个输入高电平;功能表;TTL“与非门”集成电路;①A、B中只要有一个为1，即高电平，如A＝1，则iB1就会经过T1集电结流入T2基极，使T2、T5饱和导通，输出为低电平，即Y＝0。;①A和B都为高电平（T2导通）、或C和D都为高电平（T‘2导通）时，T5饱和导通、T4截止，输出Y=0。;①A和B都为高电平时，T6、 T9导通， T8截止，输出Y=0；反之，A和B都为低电平时， T4 、T5截止，使T7 、T9导通，输出Y=0。;; 输入端负载特性;;例：在使用常用TTL门电路时，会遇到多余输入端的问题，处理方法是：;例：在使用常用TTL门电路时，会遇到多余输入端的问题，处理方法是：; 在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑，称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。 ;1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门;OC(Open Collector)门， 其电路及符号如图所示。; T5的集电极是断开的，必须经外接电阻RL接通电源后，电路才能实现与非逻辑及线与功能。 图是实现线与逻辑的OC门， 其逻辑表达式为;（1）实现线与 电路如右图所示，逻辑关系为:; 三态门（TS门）; 三态门（TS门）; TSL门典型的应用：