第7章霍尔传感器材料.pptVIP

;7.1.1 霍尔效应; 当磁场垂直于元件时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在霍尔元件c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。; 流入霍尔元件激励电流端的输入电流I越大，作用在霍尔元件上的磁感应强度B就越强，霍尔电动势EH也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB; （7-2）; 霍尔元件是一种半导体四端薄皮，1、1′端称为霍尔电动势的输出端，2、2′端称为激励电流端，其中2、2′端一般应处于霍尔元件侧面的中点 ;锗：霍尔系数、温度性能、和线性度较好 硅：霍尔系数，温度性能与锗相近 锑化铟:对温度比较敏感，低温范围内温度系数较大。 砷化铟：霍尔系数和温度系数较小，输出线性度好。;1.额定激励电流和最大允许激励电流;*;*;4.寄生直流电动势 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一???寄生直流电动势，它主要是由控制电极和基片之间的非完全欧姆接触所产生的整流效应造成的。 5.霍尔电动势的温度系数 霍尔电动势的温度系数α是指在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1 ℃，霍尔电动势的变化率。; 7.2.1 霍尔传感器的基本电路;（a）无外接偏置电阻 （b）有外接偏置电阻（c）电源负极与霍尔元件 之间串联电阻 图7-5 霍尔传感器的偏置电路; 霍尔传感器的集成电路具有体积较小、灵敏度高、输出幅度较大、温漂小、对电源的稳定性要求较低等优点，它可分为线性型霍尔传感器的集成电路和开关型霍尔传感器的集成电路。;线性型霍尔传感器的集成电路的内部电路是将霍尔元件、恒流源、线性差动放大器制作在同一个芯片上，输出电压的单位为V，比直接使用霍尔元件要方便很多。比较典型的线性型霍尔传感器有UGN3501。 ; 右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。 当磁场为零时，它的输出电压等于零；当感受的磁场为正向（磁钢的S极对准霍尔器件的正面）时， 输出为正；磁场反向时，输出为负。 ;根据线性型霍尔特性想一想：线性型霍尔传感器可以用来测量磁场的什么变化？ ; 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，NPN型OC门由高阻态（或高电平）变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。;想一想： 开关型霍尔传感器通过什么来控制开关的断开和闭合？;图7-10 施密特触发电路的输出特性曲线; 回差越大，抗振动干扰能力就越强。;1.不等位电动势误差的补偿 不等位电动势是霍尔元件误差中最主要的一种。它产生的原因是 （1）制造工艺不可能保证两个霍尔电极绝对对称地焊接在霍尔元件的两侧，致使霍尔元件的两个电极点不能完全位于同一个等位面上。 （2）由于半导体的电阻特性（等势面倾斜）所造成。; 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 ;图7-12 不等位电动势的补偿电路;霍尔元件的温度特性是指它的内阻及输出电压（霍尔电动势）与温度之间的关系。 ;温度误差产生的原因主要包括以下两种： （1）由于霍尔元件是由半导体材料组成的，因此，它对温度的变化非常敏感。其中，载流子的浓度、迁移率、电阻率等参数都是温度的函数。 （2）当温度发生变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电动势、输入电阻和输出电阻等都会发生变化，从而使霍尔传感器产生温度误差。;减小霍尔元件的温度误差的方法 1.恒温措施补偿 2.恒流源温度补偿 （1）恒温措施补偿。包括以下两种： ①将霍尔元件放在恒温器中。 ②将霍尔元件放在恒温的空调房中。 ;霍尔元件的灵敏度与温度的关系为 （7-5） 式中， 为温度为t0时霍尔元件的灵敏度； 为霍尔电动势的温度系数； 为温度的变化量（℃）。 ; 图7-15 恒流源温度补偿电路;7.3.1 磁阻元件 当霍尔元件置于与电流方向垂直的磁场中时，会出现霍尔效应，同时还会出现半导体电阻率增大的现象，这种现象称为磁阻效应。利用磁阻效应做成的元件被称为磁阻元件。 ; （a）无磁场作用;7.3.2 磁敏二极管; （a）无磁场 （b）加正向磁场 （c）