平带条件下SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型.pdfVIP

平带条件下 SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合 寿命模型1 张海鹏，徐丽燕，华柏兴，牛小燕，林弥，吕伟锋，高明煜，吕幼华 杭州电子科技大学电子信息学院，浙江杭州（310018） E-mail：islotus@163.com 摘 要：首次提出了一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的平带条件 下 SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型。该模型基于硅-二氧化硅界面平整、 界面态起作用的硅表面层厚度为德拜长度、强 n 型非简并硅等假设。建模过程中根据根据界 面态间接复合作用的强弱将所关心的界面态分布能域分为三个区，并分别在三个区域内对能 量积分再求和，然后取倒数而得。 关键词：小注入；SOI nLIGBT；漂移区表面；间接复合寿命；模型；界面态分布 1. 引 言 半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，它们对非平衡载流子的寿命有很大的 影响。半导体中促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。非平衡载流子通过复合中心的复 合即为间接复合。在半导体器件中的 Si-SiO2 界面复合中心能级存在一定分布，其表面的间 接复合较体内复合更显著，在一定条件下会显著影响器件的有关电学特性。 2. 通过单一复合中心能级的小注入间接复合寿命 对于只具有一种复合中心能级的简单情况，电子-空穴对通过禁带中复合中心能级的复 合可以分两步： 第一步，导带电子落入复合中心能级； 第二步，这个电子再落入价带与空穴复合。 复合中心恢复原来空着的状态，又可以再去完成下一次的复合过程。显然，一定还存在 上述过程的相反的间接产生动态过程。所以，相对于复合中心 Et 而言，共有四个微观过程， 如图 1 所示。 图 1 间接复合的四个过程 (a) 过程前；(b) 过程后 甲：俘获电子；乙：发射电子；丙：俘获空穴；丁：发射空穴 甲：俘获电子过程。复合中心能级 Et 从导带中俘获电子。 乙：发射电子过程。复合中心能级 Et 上的电子被激发到导带（甲的逆过程）。 丙：俘获空穴过程。电子由复合中心能级 Et 落入价带与空穴复合。也可以看成复合中 1本课题得到国家自然科学基金（批准号和浙江省自然科学基金（批准号：y104599）的资助。 -1- 心能级从价带俘获了一个空穴。 丁：发射空穴过程。价带电子被激发到复合中心能级 Et 上。也可以看成复合中心能级 向价带发射了一个空穴（丙的逆过程）[1]。 用 n 和 p 分别表示导带电子和价带空穴浓度。设复合中心浓度为 N t 。用 nt 表示复合中 ?8 3 ?7 3 心能级上的电子浓度，rn = 6.3×10 cm s 为室温电子俘获系数， rp = 1.15×10 cm s 为室温空穴俘获系数。考虑到 Si 的能带简并结构和自旋简并，费米能级 EF 与复合中心能级 Et 重合时导带的平衡电子浓度和费米能级