模电期未自测练习--填空选择题(A).docVIP

模电自测练习题（A）－选择、填空题 PAGE  PAGE 10 模电自测练习--填空、选择题（A） ====== 二极管 ======= *******（填空题）******** 1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。 3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。 5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。 8．硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。 6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。 7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。 8．半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。 10．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。 11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。 12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场???。 13、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。 *********（选择题）*********** 1.?P 型半导体中的多数载流子是 ?B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。 ?????????A. 电子?????B. 空穴 ?C. 正离子 ?????D. 负离子 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 ?C 本征半导体中载流子浓度。???A. 大于 ????B. 等于 ????C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。 ?????????A. 载流子 ?????B. 多数载流子 ????C. 少数载流子 4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度D．晶格缺陷 5．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B 。 ?A. 大 ???B. 小 ???C. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ?B ，反向电流 A 。 ?????????A. 增大 ????B. 减小 ????C. 不变 8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 10．变容二极管在电路中主要用作( D )。 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 11．当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。 A.多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子 12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路 13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。 A.正常; B.已被击穿; C.内部断路 14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.