电子科大固体与半导体物理课件刘爽版第4章选编.pptVIP

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2017-04-24 发布于湖北
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电子科大固体与半导体物理课件刘爽版第4章选编.ppt

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电子科大固体与半导体物理课件刘爽版第4章选编

第四章平衡状态下的半导体;一、与的关系;导带底的能量 ;;二、K空间等能面 ;三、常见半导体的能带结构 ;价带;导带底和价带顶不在空间的相同点，具有这种能带特点的半导体称为间接带隙半导体。;2、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构;2）锑化铟;第二节本征半导体和杂质半导体;二、杂质半导体及其导电机构;;;第三节热平衡载流子的统计分析;五、本征半导体的载流子浓度 ;2、本征载流子浓度 ;本征半导体：n0，p0随T迅速变化，器件性能不稳定。;六、杂质半导体的载流子分布 ;2、杂质能级上的杂质浓度;3．杂质能级与杂质电离程度 ; ;1、低温弱电离区 ;→;3）杂质能级的位置 ;2、强电离区（全电离、饱和电离） ;3、高温过渡区;载流子浓度：;近本征激发区 ;4、高温本征区;第四节简并半导体;一、简并半导体的载流子浓度;二、简并化条件;三、简并时的杂质浓度;四、杂质??导电