半导体制程概论萧宏chapter10.pptVIP

化學氣相沉積與介電質薄膜;目標;CVD 氧化層 vs. 加熱成長的氧化層;CVD 氧化層vs. 加熱成長的氧化層;介電質薄膜的應用;介電質薄膜的應用;氧化矽;介電質製程;化學氣相沉積(CVD);CVD應用;化學氣相沉積;CVD製程步驟;沉積製程;沉積製程;CVD製程;常壓化學氣相沉積法(APCVD);加熱器;問;答;低壓化學氣相沉積法(LPCVD);水平式 傳導-對流—加熱LPCVD;低壓化學氣相沉積系統;電漿增強型化學氣相沉積(PECVD);製程反應室;階梯覆蓋;階梯覆蓋性與似型性;影響階梯覆蓋的因素;到達角度;到達角度;空洞形成的步驟;到達角度的控制;階梯覆蓋性與壓力和表面遷移率的關係;矽;間隙填充;間隙填充;PMD製程的空洞;匣極間不想出現的鎢線;沉積/蝕刻/沉積;似型性沉積間隙填充;似型性沉積間隙填充;似型性沉積間隙填充;金屬;表面吸附;化學吸附;物理吸附;至基片表面的距離 ;介電質CVD 源材料;CVD 源材料: 矽烷;介電質CVD 源材料: 矽烷;H;CVD源材料吸附: 矽烷;CVD 源材料吸附:四乙氧基矽烷 (TEOS);Si;TEOS的應用;1;TEOS輸送;MFC;液態 TEOS;LFC;黏附係數;黏附係數;TEOS;問;答;化學反應速率;沉積速率的區間;表面反應控制區間;質量傳輸控制區間; ;CVD反應器沉積區間;介電質薄膜的應用;介電質CVD,氧化矽與氮化矽的特性;淺溝槽絕緣(STI);淺溝槽絕緣 (STI);側壁空間層形成;金屬沉積前的介電質層(PMD);鈉離子在MOSFET中的影響;金屬沉積前的介電質層(PMD);問;答; PSG在攝氏1100 °C, N2氣氛中退火 20分鐘再流動圓滑情形;鈉的基本資料;4?4 BPSG在攝氏 850 ?C和N2氣氛中再流動圓滑30分鐘;PMD製程的發展;晶圓尺寸 (mm);金屬層間介電質層(IMD);四乙氧基矽烷(TEOS);電漿增強-四乙氧基矽烷(PE-TEOS);金屬 3;電漿增強-四乙氧基矽烷(PE-TEOS);臭氧-四乙氧基矽烷(O3- TEOS);O3-TEOS 對 PE-TEOS;高密度電漿 CVD;金屬;金屬;鈍化保護介電質層;介電質薄膜的特性;折射率;q1;SiO2;具有線性偏振的入射光;雷射光;q;Metricon 2010型稜鏡偶合器;兩種方法的比較;厚度測量;介電質薄膜厚度測量;介電質薄膜厚度測量;問;答;問;答;反射光分光計 ;l;反射光分光計示意圖;問;答;沉積薄膜厚度 沉積時間;CVD薄膜厚度變化量;均勻性;應力;裸晶圓;熱應力;熱膨脹係數;應力測量;雷射;介電質CVD 製程;加熱矽烷的CVD製程;加熱TEOS CVD 製程;PECVD 矽烷製程;問;答;鈍化保護作用: 氮化矽;鈍化保護介電質沉積;EPROM 鈍化保護介電質;PMD阻擋層;介電質抗反射層鍍膜(D-ARC); t;介電質抗反射層鍍膜;電漿增強-四乙氧基矽烷(PE-TEOS);電漿增強-四乙氧基矽烷(PE-TEOS); ;介電質回蝕刻製程;沉積;濺射去除間隙角落處的薄膜;問;答;濺射蝕刻反應室示意圖;回蝕刻反應;2 mm PE-TEOS 氧化矽沉積;O3-TEOS製程; 電漿 O2 ? O + O;O;由其吸收紫外線的特性監控 ，比爾-蘭伯特定律(Beer-Lambert law): I = I0 exp(-XCL);臭氧-TEOS USG製程;階梯覆蓋;O3-TEOS BPSG 和 PSG 製程;具有深寬比4:1 的0.25 mm 間隙;自旋塗佈矽玻璃(SOG);自旋塗佈矽玻璃: 矽酸鹽和矽氧烷;自旋塗佈矽玻璃製程的步驟;高密度電漿 CVD;問;答;感應室耦合電漿反應室;電子迴旋共振反應室;金屬;金屬;金屬;金屬;金屬;金屬;高密度電漿-CVD 製程;問;答;介電質 CVD反應室的清潔;射頻電漿清潔 ;射頻電漿清潔的化學反應;射頻電漿清潔化學;C;C;射頻電漿清潔的終點;終點訊號;遙控電漿清潔 ;NF3;遙控電漿清潔;製程趨勢和故障排除;矽烷PECVD 製程的趨勢;沉積速率和溫度;應力和射頻功率;矽烷流量;矽烷流量;射頻功率;溫度;PE-TEOS 的趨勢;TEOS 流量;TEOS流量;溫度;O3-TEOS的趨勢 ;問;答 ;故障排除;故障排除;故障排除;故障排除;故障排除: 非均勻性;晶圓與氣體噴嘴的間距和薄膜輪廓;故障排除: 非均勻性;晶圓水平位置與邊對邊薄膜厚度的均勻性;未來的趨勢 ;未來的趨勢;未來趨勢: 低-k 介電質 ;未來趨勢: 低-k 介電質 ;;Cu;傳統/雙重金屬鑲嵌製程;概要;概要;概要;概要;概要;概要