第四章场效应管放大电路探讨.ppt

模拟电子技术;第四章 场效应管放大电路;引 言;分类：;第一节 金属-氧化物-半导体场效应管;衬底;VGS=0时;VGS0时;VGSVT时;VGS控制作用小结：;漏源电压VDS的控制作用;衬底;衬底;VDS控制作用小结：;15;16;N沟道增强型MOS管的特性曲线;输出特性曲线;1.2 N沟道耗尽型MOSFET;P沟道耗尽型结构及符号;N沟道耗尽型MOS管的工作原理;VGS0时;VGS0时;N沟道耗尽型MOS管的特性曲线;1.3 MOSFET和BJT的比较;1.4 MOSFET的主要参数;输出电阻rds：;作业：5.1.1 、5.1.2;第二节 MOSFET放大电路;2.1 静态工作点计算;直流通道：;MOS管工作区域判别：;例1：电路如图，各参数为： ，计算静态工作点，并 说明管子工作状态。;2.2 动态分析(低频小信号模型);场效应管的小信号等效电路;例2：电路如图，计算静态工作点和动态参数。参数如下;解：(1) 估算静态工作点;(2) 动态参数计算;电压放大倍数;输入、输出电阻;2.3 源极跟随器;解：(1) 估算静态工作点;(2) 动态参数计算;电压放大倍数;输入电阻;输出电阻;第三节