一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT.pdfVIP

Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｅｎｇｌｉｓｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｖｏｌ．３０ Ｎｏ．１ ｐｐ．１７ ２１ Ｍａｒ．２０１４ ＩＳＳＮ １００３—７９８５ Ｎｏｖｅｌ ｌａｔｅｒａｌ ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｏｎ ＳＯＩ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｆｏｒ ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ Ｈｕａｎｇ Ｔｉｎｇｔｉｎｇ Ｌｉｕ Ｓｉｙａｎｇ Ｓｕｎ Ｗｅｉｆｅｎｇ Ｚｈａｎｇ Ｃｈｕｎｗｅｉ Ｎａｔｉｏｎａｌ ＡＳＩＣ Ｓｙｓｔｅｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｎａｎｊｉｎｇ ２１００９６ Ｃｈｉｎａ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ａ ｎｏｖｅｌ ｌａｔｅｒａｌ ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｏｎ ａ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ｅｆｆｅｃｔ ＨＣＥ ｂｅｃｏｍｅｓ ｓｅｒｉｏｕｓ．Ｓｏ ｔｈｅ ｈｏｔ－ ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ ｗｉｔｈ ａ ｓｐｅｃｉａｌ ｃａｒｒｉｅｒ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ ｄｅｖｉｃｅｓ ｉｓ ｏｎｅ ｏｆ ｌｏｗ－ｄｏｐｅｄ Ｐ－ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ．Ｔｈｅ Ｐ－ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｉｓｓｕｅｓ ｉｎ ＩＣｓ． ｉｓ ａｄｄｅｄ ｔｏ ａｔｔａｃｈ ｔｈｅ Ｐ－ｂｏｄｙ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｃｈａｎｎｅｌ ｓｏ ａｓ ｔｏ Ｔｈｅ ＨＣ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ ｄｅｖｉｃｅｓ ｉｓ ｂｅｃｏｍ－ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｌｉｎｅａｒ ａｎｏｄｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｗｉｔｈｏｕｔ ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ ｉｎｇ ｍｏｒｅ ａｎｄ ｍｏｒｅ ｉｍｐｏｒｔａｎ?? ｂｕｔ ｔｈｅ ｉｎ－ｄｅｐｔｈ ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｌｅｎｇｔｈ ａｎｄ ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｔｈｅ Ｐ－ｗｅｌｌ ｔｈｅ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｔｈｅ ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ ｏｎ ｔｈｅ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ＨＣ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ ｉｓ ｄｅｖｉｃｅｓ ｉｓ ｌｅｓｓ ｄｏｃｕｍｅｎｔｅｄ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ ｏｆ ｉｔｓ ． － ｓｔｕｄｉｅｄ Ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｔｈｅ Ｐ ｗｅｌｌ ｔｈｅ ｔｗｏ ｋｉｎｄｓ ｏｆ ｃａｒｒｉｅｒｓ．Ｒｅｃｅｎｔｌｙ ｔｏ ｏｕｒ ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ ｎｏ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ｐｅａｋ ａｎｄ ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｐｅａｋ ｓｔｕｄｉｅｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｆｏｃｕｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｉｍｉｎｉｓｈ ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ６ ８ ｔｈｅｓｅ ｄｅｖｉｃｅｓ ｔｏ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｈｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ． ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ． Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｗｉｌｌ ｂｅ Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｇｒａ－ ｗｅａｋｅｎｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｉｎ