六、半导体二极管学案.doc

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半导体二极管 教学目标 1.了解半导体的导电特性 2.了解P型半导体和N型半导体的区别 3.理解PN结的单向导电性 4.熟悉半导体二极管的结构、型号、主要参数和伏安特性 5.掌握二极管的单向导电性及二极管的检测方法。 6.知道特殊二极管的性能差异和应用。 教学重点 3.理解PN结的单向导电性 5.掌握二极管的单向导电性及二极管的检测方法。 教学过程 一、半导体基础知识 1.半导体的基本概念 半导体是自然界中的一种特殊材料。通常情况下,它的导电能力介于导体和绝缘体之间,但“掺杂”后或在外界温度、光照、压力等条件发生变化时,其导电恨不能会发生很大的变化。用得最多的半导体材料是硅和锗,其次还有硒和一些金属氧化物和硫化物。 2.N型半导体和P型半导体 纯净半导体中有少量带负电的自由电子和带正电的“空穴”,导电能力很弱。 掺杂:在纯净半导体中“掺入”微量的三价或五价元素,这种工艺叫掺杂。 (1)N型半导体 在纯净的半导体中掺入五价的磷元素,每个磷原子与周围的四个硅原子形成稳定的共价键之后,就多出一自由电子,因此自由电子数远远大于空穴数,导电能力可以提高几十万倍。这种半导体主要靠自由电子导电,所以称之为电子型半导体或N型半导体。 (1)P型半导体 在纯净的半导体中掺入三价的硼元素,每个磷原子与周围的四个硅原子形成稳定的共价键之后,产生一个“空穴”,因此“空穴”数远远大于自由电子数,导电能力也可以提高几十万倍。这种半导体主要靠“空穴”导电,所以称之为“空穴”型半导体或P型半导体。 3.PN结 (1)PN结的形成 在同一半导体基片上,用不同的掺杂工艺使其一边为P型半导体,另一边为N型半导体,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷 ,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空??电荷区,这就是我们所说的 PN结。????? 在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为 耗尽层 。 P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场 。 内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:一是内电场将阻碍多子的扩散 ,二是P区和N区的少子一旦*近PN结,便在内电场的作用下漂移到对方, 使空间电荷区变窄 。 因此,扩散运动使空间电荷区加宽,内电场增强,有利于少子的漂移而不利于多子的扩散;而漂移运动使空间电荷区变窄,内电场减弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,交界面形成稳定的空间电荷区,即 PN结处于动态平衡。 (1) PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电流小。 PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压,又称为PN结正向偏置,简称正偏; PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压,又称为PN结反向偏置,简称反偏。 (1) PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。 正向导通 反向截止 (2) PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 二、半导体二极管 1.二极管的结构 晶体 HYPERLINK /product/file284.html \t _blank 二极管也称半导体二极管,它是在PN结的N区和P区分别引出一根电极,并用管壳封装而成的。与P区相连的电极称为正极或阳极,与N区相连的电极称为负极或阴极. P N + + - - 基本结构 电路符号 + 2.二极管的分类 (1)按所材料不同,可分为硅二极管和

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