模拟电路第2章节[7).ppt

2 半导体三极管及放大电路基础;2 半导体三极管及放大电路基础;半导体三极管图片;2.1.1 半导体三极管的结构;N;NPN型三极管符号;2、PNP型三极管结构示意图和符号;（1）发射区小，掺杂浓度大。;2.1.2 三极管工作原理（以NPN型管为例）;1．发射结正向偏置、集电结反向偏置—放大状态 ; (1) 电流关系;基区向发射区扩散空穴;因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度， 空穴电流忽略不记。;b. 基区电子扩散和复合;非平衡少子到达集电区;形成反向饱和电流ICBO ;三极管的电流分配关系动画演示;发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。;各电极电流之间的关系;晶体管共射极接法;定义;得; 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 ;共基极交流电流放大系数 ;符号的意义;uBE = ube + UBE;a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。;晶体管放大的条件： 内部条件：发射区掺杂浓度高，面积小； 基区掺杂浓度低且很薄； 集电区掺杂浓度低，面积大。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏;2．发射结正向偏置、集电结正向偏置—饱和状态 ;（5） UCE对IC的影响大， 当UCE增大，IC将随之增加。 当UCE增大使集电结从正偏往零偏变化过程中， UCE越大，到达集电区的非平衡少子就越多，Ic将随着UCE增大而增加。;（2） IC=ICBO，IB=－ICBO;4．发射结反向偏置、集电结正向偏置—倒置状态;总 结;放大状态下晶体管各极电位关系;2.1.3 半导体三极管共射极接法的伏安特性曲线 ;(1) 输入特性是非线性的，有死区。 ;2．共射极输出特性 ;各区的特点：;（3） 截止区;NPN管与PNP型管的区别;硅管与锗管的区别:;2.1.4 半导体三极管的主要电参数;2. 交流参数 ;3. 极限参数;iC;2.1.5 温度对管子参数的影响 ;判别晶体管工作状态方法;思 考 题;2.2 共射极放大电路的组成和工作原理 ;2．放大电路的主要性能指标 ;互导放大倍数Ag ;(2) 输入电阻Ri ;(3) 输出电阻Ro ;对输出电压的电路;测量Ro的一种方法 ;(4) 全谐波失真度D ;(6) 频带宽度fbw;2.2.2 共射极放大电路的组成及其工作原理 ;各元器件的作用：;为T提供Je正偏电压UBE;RC;只用一个电源，减少电源数。;放大电路的两种工作状态：;注：不同书写体字母的含义;信号的传递过程;2.3 放大电路的静态分析 ;2.3.1 图解法在放大电路静态分析中的应用 ;直流负载线与三极管输入特性曲线的交点，即为放大电路的输入静态工作点Qi。;2．输出回路;2.3.2 估算法在放大电路静态分析中的应用 ; 在静态分析基础上，分析电路中的交流分量之间关系。主要求出各种动态参数。;2.4.1 图解法在放大电路动态分析中的应用 ;1．当RL=∞时;;a;已知输入信号;(2) 如果静态工作点Q太低;a;0;a;小结： 静态工作点不合适 ，将使工作点进入非线性区 而产生非线性失真（饱和失真、截止失真）。 ;0;a;（忽略 UCES和ICBO）;b. 如果UCEQICQRC;C. 如果UCEQICQRC;基本共射极放大电路的波形分析动画演示;结论:;(5) 动态范围(忽略ICEO和UCES); (c) Qo点在负载线中点上方;2．当RL≠∞时;交流通路;RL ＝RC//RL;由于;该直线称为放大电路的交流负载线。;交流负载线及放大电路波形分析;交流负载线的特点:;e. 动态范围;（2）作图烦琐，Ui很小时难以作图。 ;2.4.2 微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用 ;晶体管共射极接法线性化原理;晶体管线性等效电路的H参数描述;晶体管的微变等效电路;称为晶体管的输入电阻;称为晶体管共射极输出电导;hre、hoe一般比较小，可忽略不计 ;2．微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用 ;交流通路;（2） 将晶体管微变等效;Je