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外延结构基础知识
衬底
SiC
市场上的占有率位居第2
优点:化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等
缺点:价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差
GaN材料和常用衬底材料的晶格失配和热失配
衬底
晶格常数(A)
晶格失配度
GaN/衬底%
热膨胀系数
X10-6/K
热膨胀系数失配度
GaN/衬底%
GaN
3.189
----------
5.59
----------
蓝宝石(0001)
4.758
16
缓冲层解决
7.5
-34
6H-SiC(0001)
3.08
35
4.2
25
Si(111)
5.43
-16.9
3.59
36
以上晶格常数在300K下测量,热膨胀系数在1073K下测量
H2 Anneal
Buffer
Rough
GaN的异质外延中,TMGa/TEGa为Ga源,NH3为N源。缓冲层技术的采用大大改善了体材料的晶体质量
其生长过程为准二维生长模式,即经历孤立成岛、岛长大、高温退火(重结晶)、准二维体材料生长等步骤。其生长过程和质量可由工艺参数(Ⅴ/Ⅲ比、生长温度和压力等)去控制和调节
NGaN
Si掺杂
SL(superlattice)
MQW(多量子阱)
MQW(多量子阱)
LTPGaN
P-AlGaN(电子阻挡层)
HTPGaN
P型掺杂困难
P++/N++
退火
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