外延结构基础知识学案.ppt

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外延结构基础知识 衬底 SiC 市场上的占有率位居第2 优点:化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等 缺点:价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差 GaN材料和常用衬底材料的晶格失配和热失配 衬底 晶格常数(A) 晶格失配度 GaN/衬底% 热膨胀系数 X10-6/K 热膨胀系数失配度 GaN/衬底% GaN 3.189 ---------- 5.59 ---------- 蓝宝石(0001) 4.758 16 缓冲层解决 7.5 -34 6H-SiC(0001) 3.08 35 4.2 25 Si(111) 5.43 -16.9 3.59 36 以上晶格常数在300K下测量,热膨胀系数在1073K下测量 H2 Anneal Buffer Rough GaN的异质外延中,TMGa/TEGa为Ga源,NH3为N源。缓冲层技术的采用大大改善了体材料的晶体质量 其生长过程为准二维生长模式,即经历孤立成岛、岛长大、高温退火(重结晶)、准二维体材料生长等步骤。其生长过程和质量可由工艺参数(Ⅴ/Ⅲ比、生长温度和压力等)去控制和调节 NGaN Si掺杂 SL(superlattice) MQW(多量子阱) MQW(多量子阱) LTPGaN P-AlGaN(电子阻挡层) HTPGaN P型掺杂困难 P++/N++ 退火

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