2-4_半导体材料的电学性能.pdfVIP

2.4 半导体材料导电性 1. 材料概况 (1) 依据化学组元个数，分为 ? 元素半导体－Si、Ge ? 化合物半导体－ ? III-V族 GaAs, InSb, InP 等 ? II-VI族 CdS, CdTe, ZnO等 ? (Ga1－xAlx)As, HgCdTeS等 (2) 依据电子参与成键情况 ? 本征半导体 所有外层电子都成键；所 有结合键上电子都满额 ? 掺杂半导体 － N型： Si(As,P) － P型： Si(B,Al,Ga) 1. 半导体材料概况 ? 掺杂半导体 － N型： Si(As,P)，多余电子 － P型： Si(B,Ga)，多余空穴 结构特征：代位式固溶体 1. 半导体材料概况 信息技术基本环节： (3) 主要用途 产生—处理(微电子技术，计算 机)—传输(激光载体，光纤)—存 储(光、磁存储，光盘、磁盘) 微电子技术应用： 信息处理的基础 Si、Ge基半导体为 ?? 光学应用－激光器等 信息传输的基础，信息存储 GaAs, InSb, InP等 信息技术中光电转换： 光电信号转换的基础 光电导 2.半导体的导电性特征 (1)温度敏感性：对于温度非 载流子情况： 常敏感，本征导电性随温 度升高呈指数规律增强 z 导带电子n＋价带空穴p (2)杂质敏感性：异常敏感， 是所有材料性能中对于杂 z 本征半导体中，价带电子 质(或掺杂)最敏感的性能 激发到导带中而产生载流子 (3)光照敏感性：受电磁波辐 故： n＝p 射(波长小于吸收限的所有 电磁辐射，包括可见光、 z 掺杂半导体中受掺杂的影响 甚至近红外线)，导电性大 N型半导体中以导带电子为多 幅度增加，具有光致导电 数载流子；而P型半导体中以 效应 (photoconductivity) 价带空穴为多数载流子 电导率理论公式： σ = pμh e ＋ nμ e e 3.半导体材料、结构与制备技术特点 晶体结构特征： z 维持键合特点，保持原子比例，使平均价电子数为4； z 掺杂原子代位固溶；掺杂量很少，保持基体结构不变； 材料特征 原因—— z 纯度极高 保持导电性的可控制及一致性 z 晶体缺陷极低 材料制备—— 超常规条件与技术 z 超净室技术 z 区域熔化提纯技术起源 z 单晶体生长技术—— 完全消除晶界 z 低位错密度晶体生长技术 z 离子注入合金化技术/快速扩散掺杂 半导体材料能带特征 z 价带、导带及能带间隙 间接带隙与直接带隙半导体 能带间隙： Eg ＝ EC ? EV z 大小随温度升高小幅降低 z固溶体可以调节 z掺杂半导体有掺杂能级 电子有效质量 ? 描述周期势场中电子的运动，固 依据电子能量与波矢的关系确定 ? 有效质量定义： 2 m* = h d2 E dk 2 z 能带底部电子有效质量m* 0 ， 电子有效质量me =m* z 能带顶部电子有效质量m* 0 空穴有效质量mh 等于电子有效 质量的负值，即mh ＝－m* 半导体的电子有效质量与状态密度 1. 电子的有效质量依据其能量随波矢变化 曲线的不同，可以具有不同的质量，也不 同于电子的静止质量m0 2.能态密度 3 1 2m 2 1 ? e ? 2 导带底部 ()EN = ? 22 ? ()? EE C