26第六章器件尺寸比例教程.ppt

Physics of Semiconductor Devices;1、短沟道效应 2、器件的小型化 3、MOSFET的制造工艺 ① P沟道工艺 ② N沟道工艺 ③ 硅栅工艺 ④ 离子注入工艺 ;一 短沟道效应;在一般的电路应用中，偏置电压VD通常保持常数（5V）。随着沟道长度的缩短，纵向电场εy将增大，沟道迁移率变得与电场有关。将使得载流子速度出现饱和现象，甚至很小的εy就能使沟道内载流子迁移率比体内小。 在MOSFET中，载流子被限制在很窄的反型层内运动，受到表面散射的影响，引起迁移率的下降。沟道内平均迁移率差不多是体内的一半。;反型层内迁移率和纵向电场的关系;不同横向电场εx下，测量得到的电子漂移速度和纵向电场εy的关系;低电场下，电子漂移速度呈线性变化。随着电场εy的增加，漂移速度的增加变慢，在εy =105(V/cm)最终趋于饱和，饱和值： vs =9×106cm/s;漏电流Idsat是载流子数、载流子速度及电子电荷的乘积。若v=vs，则有：;例题分析：;例题讨论：;补充1:Short-channel Effect;;;;;;;;;;;;;;;;;补充2:DIBL Effect;;;;;;;;;二 器件的小型化;相应的物理量变化为：;开关功率和直流功率分别换算为：;工作速度提高，元件密度增加，而功率密度保持不变。但电流密度按比例因子倍增。 阈值电压也按比例缩小了同样的倍数。;用常数比例因子缩小的MOSFET;另一种缩小尺寸的方法是：以最小尺寸Lmin （保持长沟特性的最小沟道长度）来确定参数γ。;实验和二维计算机模拟分析得到的参数Lmin 和γ的关系;这种方法允许器件的各个参数独立调整，只要保持γ不变即可。所以器件参数不必按同样的因子k缩小。;沟道长度为0.22 μm的MOSFET的实测I-V特性;MOSFET基本制造工艺是： P沟道工艺、N沟道工艺、硅栅工艺与离子注入工艺。; ① P沟道工艺;典型的P沟道金属栅MOS晶体管工艺;可以用SiO2和Si3N4组成的栅电介质代替单层的SiO2，这种器件称为MNOS器件。氮化硅具有更高的介电常数，使得栅电容增加，此外还能阻挡钠离子的迁移并稳定阈值电压。但更大的栅电容会造成更高的跨导和更低的阈值电压。如果去除SiO2层又会使得在Si-Si3N4的界面存在着高密度的陷阱，界面电荷会降低器件的性能。同时，MOS晶体管的阈值电压还受到衬底材料晶向的影响。;在硅中电子迁移率的数值约为空穴的3倍。当其他因素相同时，N沟道器件中的跨导为P沟道器件的3倍，速度要快3倍。但是由于生产上的问题，N沟道的优点难以实现。其工艺步骤与P沟道工艺相同。实验发现在硅-氧化硅系统中氧化层和表面态的电荷总是正的，在氧化层下面的硅中感应负电荷，在P衬底中形成一层反型层。因而，在零栅压下源和漏之间也存在着导电的通道，器件永远是打开的。若在衬底中采用更高的掺杂，可以避免永久沟道，但高掺杂衬底又会降低击穿电压，增加了耗尽层电容，以及增加体电荷对VTH影响。;通过离子注入技术在所需要的区域内实现电荷补偿。N沟道工艺目前已经成熟，并且由于在迁移率比例上的优势，N沟道件已逐渐取代P沟道器件。; ③ 硅栅工艺;（1）在整个N型衬底上热生长厚约1μm的厚氧化层，随后通过光刻腐蚀窗孔确定器件的源区、沟道以及漏区。 （2）热氧化或淀积的方法形成二氧化硅和氮化硅的薄层，继之以淀积无定型硅薄层。 （3）二次光刻去除栅区以外的硅和氮化硅层。 （4）腐蚀去除薄氧化层，然后扩散杂质产生P型的漏区和源区，同时使硅栅称为强P型。 （5）在整个硅片上淀积一层厚氧化层，并光刻确定接触窗孔。 （6）蒸发并腐蚀铝以形成互??。;;;在栅电极和源区与漏区之间的自对准可用栅作掩膜通过离子注入来实现，尽管这不是通用的方法。自对准的性质使我们能用小的沟道长度制造器件，这种器件显示出优越的高频特性。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;课程知识要点总结