第4章材料的导电性能选编.ppt

概述;4.1 电阻和导电的基本概念;电阻与导电的基本概念 1 导电 当在材料的两端施加电压时，材料中有电流流过 欧姆定律 2 电阻 与材料的性质有关 还与材料的长度及截面积有关 3 电阻率 只与材料本性有关 而与导体的几何尺寸无关 评定导电性的基本参数;4 电导率 愈大，材料导电性能就越好 5 材料分类 超导体、导体、绝缘体和半导体;载流子;;微分式说明导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度,比例系数为电导率σ。 电场强度E－伏特/厘米; 电流密度J－安培/厘米2; 电阻率ρ－欧姆.厘米; 电导率σ－西门子.厘米-1;;;经典自由电子导电理论; 1）正离子构成的完整晶体点阵； （电场均匀） 2）价电子完全自由化、公有化，弥散分布整个点阵； （价电子为自由电子）; 经典自由电子理论学说成功地解释了导电性和导热性的关系，但在应用中遇到很多问题： 高价金属导电性不如一价金属； 无法解释金属、半导体和绝缘体材料导电性能的巨大差异 。;假设： 1）正离子构成的完整晶体点阵； （电场均匀） 2）价电子的能量状态是按照量子化的规律分布。 （具有不同能级）; 量子自由电子理论较好地解释了金属导电性，一价金属比二、三价金属导电性较好，但仍无法解释铁磁性等问题，为什么？ ;假设：;禁带：能隙所对应的能带。 允带：电子可以具有的能级所组成的能带。 在允带中每个能级只允许有两个自旋反向的电子存在 填满的能带;满带：所有能级都被价电子占满的允带 价带：占有电子的能量最高的允带。 空带：未被电子填充的允带。 导带：相应于价带以上的允带及未被占满的价带 禁带：能隙所对应的能带。 导带中的电子导电，满带电子不自由不导电。 ;3）能带理论对固体导电性的解释：;能带理论解释导体、半导体和绝缘体的导电性;半导体，禁带宽度小，在绝对0K时，电子在价带中，导带空，无导电能力。一旦获得能量Eg既可以导电。 绝缘体禁带宽度大，难以越过，不导电。; 能带理论可以解释金属和半导体的导电现象，却难以解释陶瓷、玻璃和高分子等非金属材料的导电机理。;离子电导导电机理： 离子晶体中空位的迁移。涉及离子运动;玻璃的导电机理：;(a)碱金属含量不大时，σ与碱金属含量呈直线关系，碱金属只增加离子数目；但碱金属含量超过一定限度时，σ与碱金属含量呈指数关系，这是因为碱金属含量的增加破坏了玻璃的网络，而使玻璃结构更加松散，因而活化能降低， 导电率指数式上升。;(b) 双碱效应 应用条件：当碱金属离子总浓度较大时（占玻璃25-30%），在碱金属离子总浓度相同情况下，含两种碱比含一种碱的电导率要小，比例恰当时，可降到最低(降低4～5个数量级)。; (3)压碱效应? 含碱玻璃中加入二价金属氧化物，尤其是重金属氧化物，可使玻璃电导率降低，这是因为二价离子与玻璃体中氧离子结合比较牢固，能嵌入玻璃网络结构，以致堵住了离子的迁移通道，使碱金属离子移动困难， 从而减小了玻璃的电导率。也可这样理解，二价金属离子的加入，加强玻璃的网络形成，从而降低了碱金属离子的迁移能力。 ;4.3 材料的导电性;;4.4.1 超导电性的微观机理 载流子：库柏电子对(BCS) 电子—声子相互作用所产生电子对。 杂质原子和缺陷对电子对不能进行有效的散射 ;4.4.2 两个基本特性：;超导态的三个性能参数 温度（TC）——超导体必须冷却至某一临界温度以下才能保持其超导性。 临界电流密度（JC）——通过超导体的电流密度必须小于某一临界电流密度才能保持超导体的超导性。 临界磁场（HC）——施加给超导体的磁场必须小于某一临界磁场才能保持超导体的超导性。 以上三个参数彼此关联，其相互关系如右图所示。 ;4.6 半导体与pn结 ; 本征半导体：纯净的无结构缺陷的半导体单晶。 本征电导：载流子由半导体晶格本身提供，是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。 导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴的浓度是相等的。 ;本征半导体的导电机理; 1. n型半导体 杂质对半导体的导电性能影响很大，例如，单晶硅中掺(1/10万)硼，导电能力将增大1000倍。杂质半导体可分为n型(可提供电子)和p型(会吸收电子，造成空穴)。;;2 p型半导体 若在Si中掺入第三族元素(如B)，因其外层只有三个价电子， 这样它和硅形成共价键就少了一个电子(出现了一个空穴能级)此能级距价带很近，只差E1 = 0.045eV，价带中的电子激发到此能级上比越过整个禁带容易(1.1eV)。这种杂质能级称为受主能级，P型半导体。;II、p 型半导体;4.6.2 p-n结;p-n结的整流特性;2 p-n结的伏安特性与击穿特性; p-n结的能带