传感器课件第三章.ppt

1、定义：将力/压力等力学量信号变成电信号的装置 2、可测对象：与机械应力有关信号：力和压力，负荷、加速度、扭矩、位移、流量等其他物理量，称为力学量传感器。是支撑工业过程自动化的传感器之一。 3、分类： 应用普遍的：电阻式、压电式、电容式、变磁阻式、光纤式等等。 传统的如弹簧：成本低、不需电源，但体积大、笨重、输出非电量。 发展了声表面波压力传感器、磁致伸缩型压力传感器、电位式压力传感器等。 4、发展方向：半导体压力传感器正向集成化和智能化。 ;;;(2) 两边同除R得： ;;原理：直线金属丝受单向拉伸时，每段电阻都增加，总电阻的增加为各段电阻增量之和，任一微段上所受的应变都相同， 故: 但敏感栅的直线各段的拉应变εl， 而圆弧上各微段轴向应变不是εl，如在θ=π/2微圆弧处，丝的轴向压应变εr=-μεl，该段电阻反而减小；弧其它各段轴向应变由拉应变和压应变组成，-----应变的横向效应,从+εl到-μεl之间。 总之，应变片受应变时电阻变化与纵向应变、横向应变有关。;其理论公式为： ;2. 箔式应变片 ---很薄的金属片粘于基片，经光刻﹑腐蚀等，接电极，涂覆覆盖层。优点：尺寸准确，线条均匀，性能稳定，散热好，寿命长，但K0较低,仅为2～6 。 ;三、金属应变片的参数 ;4.蠕变(Δεt) -----在一定T、一定应变ε(为1000) 长时间作用，指示应变随时间的变化，一般要求蠕变应小于3×10-6ε/小时,也可用变化率(n=Δεt/ε)来描述。 5.零漂------在一定T和无机械应变时，指示应变随时间的变化。 ;四、温度和蠕变补偿应变计 ;2. 蠕变自补偿应变计 ;π为材料的压阻系数， E为弹性模量; ∵有的应力只引起某些方向的电阻率变化，电阻率的相对变化与应力间的关系为： ; 半导体单晶材料的晶体结构具有各向异性，在各个不同晶面上的压阻系数也不同。见P125表;三、任意方向应变电阻的压阻系数 ;二、半导体应变片 ; 在硅衬底上扩散相应杂质构成应变敏感栅电阻。 灵敏系数高； 在衬底上可形成半桥或全桥结构，使温度特性及稳定性都较好； 与IC工艺兼容，可使其微型化、达到集成化、智能化，是目前最常用的一种压力敏感???件。 ;;在满足版图布局要求的条件下，电阻条应尽量宽。;3、SOI外延扩散型半导体应变计 ;4、剪切型半导体应变计 ;;2. 受应变时,应变片电阻的变化为ΔR2，则电桥的输出电压U0为： ;3.电桥的电压灵敏度 ;4.非线性误差 ;二、半桥差动电路;若四臂接入四片应变片，两个受拉力，两个受压力，变化符号相同的接入相对桥臂上。 若R1=R2=R3=R4，⊿R1=⊿R2=⊿R3=⊿R4，则输出电压为： ;2、若考虑温度对各电阻的影响，且电阻受温度变化同为ΔRT， 同时，若 R1 = R2 = R3 = R4， ⊿R1 = ⊿R2 = ⊿R3 = ⊿R4， 则输出电压表示为： ;四、采用高内阻恒流源供电的测量电桥 ;1、若受应力时 R2 变为 R+⊿R 时，R1、R3、R4不变， 电桥输出电压为： ;2、若受压力作用时，选择R2、R3有正增量⊿R， R1、R4有负增量 ⊿R 同时，考虑温度影响，且 R1 = R2 = R3 = R4 = R，⊿RT同，推得: ;一、圆形膜片 ;应力分布图;随r增大逐渐下降，分别在r=0.638a 和 0.827a 处为零， 在边缘a处：为负值，且都为最小值， 分别为： ;1.压敏电阻位于同一应力区 ;;（2） 压敏电阻分别位于正负应力区 ;可知，要获得最大灵敏度⊿R/R，应考虑应力和压阻系数。 p型压阻系数πl=63.17×10-7cm2/N, πt=-53.33×10-7cm2/N； 在a=3mm，p=9.8N/cm2，h=75μm，r/a=1处压力为σr=2.82×104N/cm2，σθ=0.18×104N/cm2： 径向电阻灵敏度值⊿R/R2，4= -91.35×10-3。 由于压阻系数与角度有关，切向电阻与r的切向角对灵敏度有影响，若切向角大于5°，⊿R/R1、3会下降30%，因此电阻不宜过长。 ;离开直边向膜中心移动时，应力差迅速下降。正方形的边取110和;三、矩形膜片 ;一、结构 ;二、温度漂移与补偿 ;1.零位漂移补偿 ; 使运放输出U0增大，可保持USC不变，即得到补偿。反之… 右图中三极管的Vbe对温度敏感，且温度升高Vbe减小，即U0增大，即可补偿。 ;因T升高D1的压降下降，提高了电桥的电压，D1为电桥温度补偿； D2对差放的放大倍数β进行温度补偿。 电桥输出经放大输出。 当不加压力时，R1=R2=R3=R4=R； 受压后，R2=R3=