半导体中的杂质及缺陷.ppt.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷;理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 ;主要内容;§2-1 元素半导体中的杂质能级;(2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近;1. VA族的替位杂质——施主杂质;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，——施主杂质。;;施主杂质的电离能小，在常温下基本上电离。;在Si中掺入B;Ec;受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据——空穴由受主能级向价带激发。;施主和受主浓度：ND、NA;等电子杂质;N型半导体 特征：;P型半导体价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴。空穴为多子，电子为少子。;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 ;施主向导带提供的载流子 =1016～1017/cm3 》 本征载流子浓度;上述杂质的特点：;4. 浅能级杂质电离能的简单计算;玻尔原子电子的运动轨道半径为：;类氢模型：计算束缚电子或空穴运动轨道半径及电离能;对于Si中的P原子，剩余电子的运动半径约为24.4 ?：;施主能级靠近导带底部;对于Si、Ge掺B;Ec;Ec;(3) ND≈NA;6. 深杂质能级;例：在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级;1. Au失去一个电子—施主;Ec;3.Au获得第二个电子;4.Au获得第三个电子;深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。;§2-2 化合物半导体中的杂质能级 ;施主杂质 替代Ⅴ族元素;●等电子杂质 ;点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界;2.元素半导体中的缺陷;(2) 填隙;As;4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷;a.负离子空位;b.正离子填隙;产生负电中心，起受主作用;产生负电中心，起受主作用;负离子空位;第二章 思考题与自测题： 说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？ 纯锗、硅中掺入Ⅲ族或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电性能有很大的改变？杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？ 把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？ 何谓深能级杂质？它们电离以后有何特点？ 为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？ 说明掺杂对半导体导电性能的影响。 说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？ 什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？;第二章 习题