半导体器件_前言2.pptVIP

下载本文档

6
0
约小于1千字
约 20页
2017-04-25 发布于四川
举报
版权申诉

半导体器件_前言2.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体器件_前言2

半导体器件-前言;电子科学与技术（培养方案）;核心和基础：微电子;; 100?m 头发丝粗细 7850?m2;微电子：Microelectronics 微电子技术——微型电子技术核心——集成电路;电子科学与技术基本内容;电子科学与技术基本内容;普通物理学;干什么（培养方案）;半导体特性;半导体;半导体;;第一个三极晶体管 ;平面加工工艺（光刻）的发明;1960年, 由于表面态问题得到了有限控制, 贝尔实验室的Kahng 和Atalla 成功地研制出第一只实用型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。这种晶体管后来主导了集成电路和微芯片的命运。自MOSFET研制成功后, 它得到了迅猛发展并且成为微处理器(Microp rocessor)与存储器(Memory)等先进集成电路中最重要的器件, 与其相关的集成电路产品占有半导体市场90% 的份额。;第一个半导体激光器二极管：在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯??验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。 .;/onlinereader.aspx?metaid=mm004-w005-032page=24