童诗白模拟电子技术基础第四版第一章技术总结.ppt

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模拟电子技术基础; 本课程是电子信息专业的一门技 术基础课,它具有自身的体系,是实践性很强的课程。 本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、 基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题 的能力,为后续课程打好基础。;是研究电子器件、电子电路及其应用的;;第一章 常用半导体器件;本章要求;1—1 半导体基础知识;2.特性:;4. 本征半导体中的两种载流子;图1.1.4 自由电子进入空穴产生复合运动;1.1.2 杂质半导体;少数载流子(简称少子)。;2. P型半导体;N型半导体;;2. PN结的单向导电性;(2)PN结外加反向电压(反向偏置);;5. PN结的电容效应;平衡少子:;1—2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.4 二极管的等效电路;2.二极管的微变等效电路;1.2.5 稳压二极管;2. 稳压管的主要参数;1. 发光二极管(LED);1—3 双极型晶体管(BJT);1.3.2 晶体管的电流放大作用;;4.晶体管的电流放大作用;;2. 输出特性曲线;1.3.4 晶体管主要参数;2.极间反向电流;3.极限参数;4. 特征频率f T;1—4 场效应管(FET) ;1.4.1 结型场效应管;2.工作原理;(2) uGS为 UGS(off)<uGS<0中某一定值时,uDS对漏极电流的影响 ;3.结型场效应管特性曲线;3.结型场效应管特性曲线;已知输出特性绘制转移特性;1.4.2 绝缘栅型场效应管(MOS管) ;;; uGS>UGS(th)的某一值时,uDS对iD的影响;3)特性曲线与电流方程;2. N沟道耗尽型MOS ;1.4.3 场效应管的主要参数;3) 极限参数;两种方式来控制导电沟道的宽窄,以改变漏极电流iD的大小。 ?;图1.4.4 场效应管的符号及特性;;1.2.7 二极管应用举例 ;[例2] 电路及输入电压ui 的波形如图所示,画出输出电压uo的波形。 ;[例3] 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值Izmin=5mA, 求图示电路中的U01、U02。;[例4] 用万用表分别测得某放大电路中三极管三个管脚对地电位分别为V1 = -7V,V2= -2V,V3= -2.7V。试判断此三极管的类型?由何种材料制成?三个管脚对应电极。;[例5](P32 —1.3.1)现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如表所示, 各晶体管b―e间开启电压Uon均为0.5V。试分别说明各管子的工作状态。 ;练习 P70 :;练习 P67 :;???b);[例7] 电路如图所示,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V,饱和 漏极电流IDSS=4mA。试问:为保证负载电阻RL上的电流为恒流,RL 的取值范围应为多少?

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