第29讲12-3薄膜的表面界面和尺寸效应1.ppt

第十二章低维材料结构 ;第十二章低维材料结构 ;12.1.2 薄膜形成的理论基础 ;12.1.2.1 热力学界面能理论 ;（1）热力学概念 ;（2）临界核尺寸 ;;当向球帽形核加入新的原子时，核的体积自由能变化;图12.2 总自由能变化与核半径r的关系曲线; ①当原子团半径rr*时，原子团是不稳定的，具有很高的分解几率，这时原子团中的原子有分解成单个原子的倾向；当rr*时，则随半径的增加而能量减少，所以原子团将长大，变成稳定的核。;（3）成核率;12.1.2.2 原子聚集理论（统计理论） ;①两种理论依据的基本概念是相同的，所得到的成核速率计算公式的形式也相同。所不同之处是两者使用的能量不同和所用的模型不同。 ②热力学界面能理论（毛细作用理论）适合于描述大尺寸临界核。因此，对于凝聚自由能较小的材料或者在过饱和度较小的情况下进行沉淀，这种理论是比较适宜的。 　对于小尺寸临界核，则原子聚集理论模型（统计理论）比较适宜。;12.2.1 薄膜的组织结构 ;12.2.1.1 非晶态结构或玻璃态结构 ;12.2.1.2 多晶结构 ;12.2.1.3 纤维结构 ;12.2.1.4 单晶结构 ;　 在大多数情况下，薄膜中晶粒的晶体结构与同种块状晶体的是相同的，所不同的可能是： 　 （1）薄膜中晶粒取向和晶粒大小可能不同于块状晶体。 　 （2）薄膜中晶粒的晶格常数也常常不同于块状晶体。出现这种情况的原因有两个：一个是薄膜材料本身的晶格常数与基片的不匹配；另一个是薄膜中有较大的内应力和表面能 ;12.2.3 表面结构 ;12.2.3 表面结构 ; 在基片温度较低的情况下，吸附原子在表面上扩散运动的能量小，原子迁移速率小，所得薄膜的表面积大，并随膜厚成线性增加。这样，薄膜表面将比较粗糙。 ;图12.3 Cu薄膜的表面积和粗糙度因子与膜厚的关系 ;12.2.4 薄膜的缺陷 ;12.2.4.1 点缺陷 ;图12.4 表面点缺陷 ;12.2.4.2 位错 ;12.2.4.3 其它缺陷 ;12.2.5 薄膜的异常结构和非理想化学计量比 ;非理想化学计量比 ;12.3 薄膜的表面和界面 ;（2）薄膜的界面 界面两边物质的成份或者结构不同，界面处的原子排列情况和电子结构也不同于体内。显然，薄膜界面的结构往往对薄膜本身的结构有显著的影响。并且，界面通常是杂质、缺陷的富集区。 薄膜的界面是通过材料接触形成的。在界面处存在着两个材料（同质或异质材料）之间的原子交换，即相互之间的扩散。这种扩散改变着相互间的结构和性质。 ;12.3.1 表面态和表面空间电荷层 ;12.3.1 表面态和表面空间电荷层 ;图12.5 几种表面结构的示意图 ;;图12.6 硅的共价键示意图 ; 表面态的产生原因，除了晶格在表面的突然终止外，还有表面结构的缺陷和杂质，以及表面吸附外来原子等。 清洁表面的电子态称为本征表面态； 表面吸附外来原子或表面的不完整性（缺陷、台阶、杂质）都会产生表面态，称为非本征表面态，如吸附表面态。 ; 由于表面态的存在，电子在体内态和表面态之间的转移，通常会在表面产生一层表面电荷，它们将产生一个垂直表面的电场。为了屏蔽这个电场，在半导体或电介质的表面形成一个相当宽度的空间电荷层。在空间电荷区中能带发生弯曲，以适应体内态和表面态之间有足够的载流子转移来屏蔽表面电场 ;图12.7 半导体近表面的能带图;当薄膜为n型半导体时，nbpb，;12.3.2 表面势垒;金属的表面势垒，由三个部分组成：;3.3.1 界面结构 ;3.3.2 界面特性 ;（1）逸出功与电子??和势;图12.9金属与n型半导体接触前后的能带图。 (a)接触前；(b)接触后 ;①金属与n型半导体接触 ;（3）金属与介质接触;②电子电导情形;12.4 薄膜的尺寸效应 ;（1）对于输运性质，相关的尺寸包括德布罗意波长，平均自由程，标识电子局域化的各种尺度以及磁场中的回旋半径。 （2）在磁性体系中，相关的尺度是交换作用的范围，它是原子间距的量级。 （3）在铁电体中，相关的尺寸是铁电临界尺寸，其与居里温度、铁电相变、铁电畴等密切相关。 （4）在超导体中，有两个相关的尺度：London穿透深度和相干长度。 ;12.4.2 金属薄膜的尺寸效应 ;4.2.1 经典尺寸效应;12.4.2.2 量子尺寸效应 ;图12.10 费米能级 EF与膜厚d的关系