第05章存储器和其与CPU接口0.pptVIP

第5章 存储器及其与CPU接口;第5章 存储器及其与CPU的接口;5.1 半导体存储器的分类;2、按存储介质分;5.1.1半导体存储器;选择存储器件的考虑因素 （1）易失性 （2）只读性 （3）位容量 （4）功耗 （5）速度 （6）价格 （7）可靠性;一、RAM又可以分为双极型（Bipolar）和MOS RAM两大类。 正常工作，可读可写，一般情况掉电丢失。 （一）双极型RAM的特点 （1）存取速度高。 （2）以晶体管的触发器（F-F——Flip-Flop）作为基本存储电路，故管子较多。 （3）集成度较低（与MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。 所以，双极型RAM主要用在速度要求较高的微型机中或作为cache。;（二）MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）两种。 1、静态RAM的特点 ① 6管构成的触发器作为基本存储电路。 ② 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路。 ④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 ⑤ 易于用电池作为后备电源(RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息)。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。;CELL;2、动态RAM的特点 DRAM(Dynsmic　RAM) ① 基本存储电路用单管线路组成（靠电容存储电荷）。 ② 集成度高。 ③ 比静态RAM的功耗更低。 ⑤ 价格比静态便宜。 ⑥ 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。;3、NVRAM(Non Volatile RAM)非易失性RAM 掉电时，将SRAM信息写入E2PROM 4、PSRAM(Pseudo Static RAM)伪静态RAM 片内集成了动态刷新电路 5、MPRAM(Multiport RAM)多端口RAM (1)双口RAM (2)VRAM（Video RAM）视频动态读写存储器 (3)双向FIFO，高速图形图像处理 (4)MPRAM：三口、四口等 6、FPRAM(Ferroelectic RAM)铁介质读写存储器;二、ROM（Read Only Memory） 正常工作时，只读不可写，掉电不丢失;;2．可编程序的只读存储器PROM(Programmable ROM) 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。;3．可擦去的可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） 高压写入，紫外线擦除 ;2716引脚;5、电可擦除可编程ROM (Electronic Erasible Programmable ROM, EEPROM) EEPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(12—24V，随不同的芯片型号而定)。 EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止病毒对BIOS芯片的非法修改。;1．Intel 2817的基本特点;6、Flash Memory（闪存）：;半导体 存储器;5.1.2 半导体存储器的特点;(1) 用字数?位数表示，以位为单位。常用来表示存储芯片的容量，如1K?4位，表示该芯片有1K个单元(1K=1024)，每个存储单元的长度为4位。 (2) 用字节数表示容量，以字节为单位，如128B，表示该芯片有 128个单元，每个存储单元的长度为8位。现代计算机存储容量很大，常用KB、MB、GB和TB为单位表示存储容量的大小。其中，1KB＝210B＝1024B； 1MB＝220B＝1024KB；1GB＝230B＝l024MB；1 TB＝240B＝1024GB。显然，存储容量越大，所能存储的信息越多，计算机系统的功能便越强。; 2．存取时间 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。例如，