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PET的多通道Si制光电倍增管_1270954杨英健教程.ppt

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PET的多通道Si制光电倍增管_1270954杨英健教程

基于多通道Si制光电倍增管前端;质量湮没现象电子对湮没缺中子核;keV:1000电子伏特,是为;符合检测电路利用两个γ射线光子;符合检测电路原理框图检测器滤波;成像装置;数据采集;A、B、C、D四个光电倍增管的;脉冲高度分析脉冲过高可能是由于;数据存储湮没事件发生的位置、响;采样数据的正弦图的表示方法有关;衰减校正在图像重建之前要对数据;μ1和μ2为传播路径上人体组织;Photomultiplier;Silicon photomu;Moreover, the m;we therefore pr;Electronics for;Photomultiplier;Fig. 1. Schemat;成像装置;Data Acquisitio;A、B、C、D四个光电倍增管的;This front-end ;Fig. 2. Electri;This simulation;无标题

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