电模第六章[放大电路基础].pptVIP

第六章 放大电路基础;半导体三极管 共射放大电路 共集放大电路与共基放大电路 场效应管及其放大电路 集成运算放大电路;§6.1 半导体三极管;图 常见三极管的外形;6.1.1 半导体三极管的结构;半导体三极管的结构;6.1.2 三极管的工作原理; 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：;(2) 电子在基区复合和扩散 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。;(4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBO; IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN ;3. 三极管的三种组态;6.1.3三极管的特性曲线;;(1)UBE 和iB之间的关系曲线 (2)用 UCE=1V 的输入特性曲线来代表UCE＞1V 所有输入特性曲线 (3)输入特性的死区电压： 硅管约为0.5V； 锗管约为0.1V。 发射结正偏导通后： 硅管 UBE=0.7V； 锗管 UBE=0.3V;1.4.3三极管的特性曲线;2、输出特性曲线;（a） 输入特性曲线; （b） 输出特性曲线;3、把输出特性曲线划分成三个区;输出特性曲线总结;三极管工作情况总结; 例 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。; 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。;3. 温度对三极管特性的影响;三、温度对特性曲线的影响;6.1.5 半导体三极管的参数;三极管的直流参数;三极管的直流参数;三极管的交流参数;三极管的交流参数;三极管的极限参数;三极管的极限参数;三极管的极限参数;三极管的极限参数;三极管的安全工作区;三极管的参数;6.1.7 三极管应用;例 判断三极管的工作状态;§ 6.2 共射放大电路;放大的概念;一、电压放大倍数Au;三、输出电阻ro;如何确定电路的输出电阻ro ？;方法二：测量。;四、通频带;符号规定;6.2.2 共射放大电路的基本组成;集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。;集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。;使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。;耦合电容;可以省去;单电源供电电路;静态：只考虑直流信号，即vi=0，各点电位不变 （直流工作状态）。;ui=0时;IBQ;(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;IB;uCE的变化沿一条直线;各点波形;实现放大的条件;§6.2.4 放大电路的分析方法;例：;T;静态分析;Rb;例1;例：电路及参数如图，求Q点值;例2;例2; 例2;I;vCE(v);讨论：电路参数变化对Q点的影响;电路参数变化对Q点的影响;电路参数变化对Q点的影响;T;交流负载线;三、 等效电路法 1）静态分析;（2）根据直流通道估算UCE、IB;二、图解法;例：用估算法计算静态工作点。;2） 动态分析;2. 输出回路;ube;二、放大电路的微变等效电路;三、电压放大倍数的计算;四、输入电阻的计算;五、输出电阻的计算;所以：;例2：求Av ，R i，Ro;= -7.62;=330K//26.263K=24.3K;例3;直流通路;Rb;;;3） 失真分析;iC;iC;iC;4） 静态工作点的稳定;一、温度对UBE的影响;二、温度对? 值及ICEO的影响;小结：;分压式偏置电路：;I1;可以认为与温度无关。;T;二、动态分析;CE的作用：交流通路中， CE将RE短路，RE对交流不起作用，放大倍数不受影响。;去掉 CE 后的交流通路和微变等效电路：;RB1;I1;RB1;交流通路：;§6.3 共集放大电路与共基放大电路 6.3..1 基本共集放大电路;一、静态分析;二、动态分析;1. 电压放大倍数;1.;2. 输入电阻;3. 输出电阻;一般：;射极输出器的使用;场效应管;2.工作原理;①栅源电压VGS对iD的控制作用;②漏源电压VDS对iD的影响;JFET工作原理（动画2-9);(3)伏安特性曲线;可变电阻区;夹断区;②转移特性曲线;结型场效应管的特性小结;金属-氧化物-半导体场效应管;N沟道增强型场效应管的工作原理;1 . 栅源电压VGS的控制作用;2 .漏源电压VDS对沟道导电能