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第0章 微电子初识;前言：微电子？;一：硬件 ;电阻 ;（1）基础元器件;电容按照功能分类的特点;4.名称：云母电容 　 　符号：（CY） 　电容量：10p--0.1μ 　　额定电压：100V--7kV 　　主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 　　应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5.名称：高频瓷介电容 　 　符号：（CC） 　电容量：1--6800p 　　额定电压：63--500V 　　 主要特点：高频损耗小，稳定性好 　 　应用：高频电路 6.名称：低频瓷介电容　 　　符号：（CT） 　电容量：10p--4.7μ 　　额定电压：50V--100V 　　 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 　　应用：要求不高的低频电路 ;7.名称：玻璃釉电容 　　符号：（CI） 　　电容量：10p--0.1μ 　　额定电压：63--400V 　　 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 　　应用：脉冲、耦合、旁路等电路 8.名称：铝电解电容 　 　符号：(CD) 　　电容量：0.47--10000μ 　　额定电压：6.3--450V 　　 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 　　 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 9.名称：钽电解电容 　　符号：（CA） 　　电容量：0.1--1000μ 　　额定电压：6.3--125V 　 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 　　;10.名称：空气介质可变电容器 　　符号： 　　可变电容量：100--1500p 　 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、 直线频率式及对数式等 　　应用：电子仪器，广播电视设备等 　　 11.名称：薄膜介质可变电容器 　　符号： 　　可变电容量：15--550p 　　主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 　　应用：通讯，广播接收机等 12.名称：薄膜介质微调电容器 　　符号： 　　可变电容量：1--29p 　　主要特点：损耗较大，体积小 　　应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 　　;13.名称：陶瓷介质微调电容器 　　符号： 　　可变电容量：0.3--22p 　　主要特点：损耗较小，体积较小 　　应用：精密调谐的高频振荡回路 14.名称：独石电容 　　容量范围：0.5PF--10μF 　　耐压：二倍额定电压。 　　特点： 电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿 性好等。缺点是温度系数很高，独石和CBB用适当比例并 联使用，可使温漂降到很小。 应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、 耦合、滤波、旁路。 ;（1）基础元器件;二极管构造分类的特点;扩散型二极管 　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 台面型二极管 　　PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。 平面型二极管 　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。 ;合金扩散型二极管 　　它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 外延型二极管 　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 肖