微电子器件2-4学案.ppt

2.4 PN 结的击穿; 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 ;式中，A、B、m 为经验常数，可在表 2-1 中查到。; 2、雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。; 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为; 为简便起见，假设 ，则流出 ( x+dx ) 面的总的新增空穴数目为;; 当 ，总电流就是原始电流，表示无雪崩倍增效应。; 实际计算击穿电压 VB 时，常采用如下近似方法。 由于 随 E 的变化很剧烈，所以对积分起主要作用的只是 电场峰值附近的很小一部分区域。这个区域内 几乎不变，因此可以近似认为，当 达到某 临界电场 EC 时，即可满足击穿条件 ，从而发生雪崩击穿。;对于突变结，; 也可通过查曲线求得突变结的击穿电压 VB 。;对于线性缓变结，; 或通过查曲线求得线性缓变结的击穿电压 VB 。; 实际扩散结的击穿电压; 4、击穿电压的测量 常采用类似于测量正向导通电压 VF 的方法。; 5、结的结构对雪崩击穿电压的影响 只有满足以下条件的 PN 结，才能使用以上公式与曲线来计算击穿电压 VB 。;（1）高阻区厚度的影响;（2） 结面曲率半径的影响 由扩散工艺所形成的 PN 结，在结面的四周和四角会形成柱面与球面。; 6、提高击穿电压的措施; 2.4.3 齐纳击穿 隧道效应：由于电子具有波动性，可以有一定的几率穿过势垒。势垒越薄，隧道效应就越明显。; 随着反向电压的提高 ，　　 增大，隧道长度 d 减薄， 使反向电流增大。当反向电压增大到使　 达到临界值时，d 变的足够小，使反向电流急剧增大，这种现象就称为 齐纳击穿 ，或 隧道击穿。 ; 一般说来，当 时为雪崩击穿，当 时为齐纳击穿。;反向电压 V↑→功率 PC = V I0↑→ 结温 Tj↑→ I0↑; 式中 Ta 代表环境温度，RT 代表 热阻，其计算公式为; 防止热击穿最有效的措施是降低??阻 RT 。此外，半导体材料的禁带宽度 EG 越大，则 I0 越小，热稳定性就越好，因此硅 PN 结的热稳定性优于锗 PN 结。