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第六章-工艺集成选编
工艺集成 Process Integration;工艺集成;工艺集成;工艺的选择;工艺的限制;集成电路中器件的隔离;LOCOS 隔离;LOCOS隔离工艺;LOCOS隔离工艺; 改进的LOCOS工艺 PBL: polybuffered LOCOS;浅阱隔离(Shallow Trench Isolation);MESFET器件制备工艺流程;MESFET器件制备工艺流程;MESFET器件制备工艺流程;npn型BJT器件制备工艺流程 ;npn型BJT器件制备工艺流程 ;npn型BJT器件制备工艺流程 ;npn型BJT器件制备工艺流程 ;npn型BJT器件制备工艺流程 ;npn型BJT器件制备工艺流程 ;NMOS制备工艺流程;NMOS制备工艺流程;NMOS制备工艺流程;NMOS制备工艺流程;NMOS制备工艺流程;基于LOCOS的CMOS工艺;CMOS集成电路制造工艺I;;*;;;Mask #1, LOCOS隔离;;;;;;;;;;;Mask#2, N型阱区;;;;;;;;;多晶硅;;Mask #3，栅极图形;;;多晶硅;;多晶硅栅极;;;;;;*;;;;;;;;PSG;PSG;;;;; PSG;Al·Cu·Si;;;;;Al·Cu·Si;CMOS集成电路制造II;P型硅衬底准备;轻掺杂外延生长;*;N型阱区注入;;*;*;*;*;刻蚀沟槽;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;CMOS集成电路制造III;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*
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