第六章磁敏式传感器选编.pptVIP

第六章 磁敏式传感器; 工作频带一般为10～1000Hz。磁电式传感器具有双向转换特性，利用其逆转换效应可构成力(矩)发生器和电磁激振器等。 根据电磁感应定律，当W匝线圈在均恒磁场内运动时，设穿过线圈的磁通为Φ，则线圈内的感应电势E与磁通变化率dΦ/dt有如下关系： ; 根据这一原理，可以设计成变磁通式和恒磁通式两种结构型式，构成测量线速度或角速度的磁电式传感器。图6.1所示为分别用于旋转角速度及振动速度测量的变磁通式结构。其中永久磁铁1(俗称“磁钢”)与线圈4均固定，动铁心3(衔铁)的运动使气隙5和磁路磁阻变化，引起磁通变化而在线圈中产生感应电势，因此又称变磁阻式结构。;图6.1?变磁通式结构 (a)旋转型（变磁阻）； (b)平移型（变气 隙） ; 在恒磁通式结构中，工作气隙中的磁通恒定，感应电势是由于永久磁铁与线圈之间有相对运动——线圈切割磁力线而产生。这类结构有两种，如图6-2所示。图(a)为动圈式，图中的磁路系统由圆柱形永久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。气隙中的磁场均匀分布，测量线圈绕在筒形骨架上，经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。当线圈与磁铁间有相对运动是，线圈中产生的感应电势e为:;图6.2 恒磁通式结构 (a)动圈式；(b)动铁式;式中? B——气隙磁通密度(T)； ???? ｌ——气隙磁场中有效匝数为W的线圈 总长度(m)为ｌ＝ｌaW （ｌa为每匝线圈的平均长度)； ????? ν——线圈与磁铁沿轴线方向的相对运动速度( )。 当传感器的结构确定后，式(6-2)中B、ｌa、W都为常数，感应电势e仅与相对速度v有关。传感器的灵敏度K为: ;为提高灵敏度，应选用具有磁能积较大的永久磁铁和尽量小的气隙长度，以提高气隙磁通密度B；增加ｌa和W也能提高灵敏度，但它们受到体积和重量、内电阻及工作频率等因素的限制。为了保证传感器输出的线性度，要保证线圈始终在均匀磁场内运动。设计者的任务是选择合理的结构形式、材料和结构尺寸，以满足传感器基本性能要求。;6.1.2 磁电感应式传感器基本特性 当测量电路接入磁电传感器电路中，磁电传感器的输出电流I为: （6-3） 式中： Rf——测量电路输入电阻； R—— 线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为: ; 而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为: 当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、 机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化而产生测量误差。相对误差为 磁电式传感器在使用时存在误差，主要为非线性误差和温度误差。;图6-3 传感器电流的磁场效应; 2）温度误差 当温度变化时，式（6-7）中右边三项都不为零，对铜线而言每摄氏度变化量为dL/L≈0.167×10-4，dR/R≈0.43×10-2，dB/B每摄氏度的变化量取决于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁合金，dB/B≈-0.02×10-2，这样由式（6-7）可得近似值： 这一数值是很可观的，所以需要进行温度补偿。补偿通常采用热磁分流器。热磁分流器由具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成。它在正常工作温度下已将空气隙磁通分路掉一小部分。 ;6.1.3 磁电感应式传感器测量电路 磁电式传感器直接输出感应电动势，且传感器通常具有较高的灵敏度，不需要高增益放大器。但磁电式传感器是速度传感器，若要获取被测位移或加速度信号，则需要配用积分或微分电路。图6-4为一般测量电路方框图。;6.2 霍尔传感器 霍尔传感器为载流半导体在磁场中有电磁效应（霍尔效应）而输出电动势的一种传感器。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量电流、磁场、压力、加速度、振动等方面的测量。 ;6.2.1 霍尔效应及霍尔元件 1）霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 图6-5所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一