半导体工艺基础报告.pptxVIP

半导体工艺基础报告 ;1.何为半导体 半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、 Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等。 半导体器件制造技术是一门新兴的电子工业技术，它是发展电子计算机、宇航、通讯、工业自动化和家用电器等电子技术的基础。半导体技术的发展是与半导体器件的发展紧密相连的。如用合金技术制成的合金管，然后又相继出现了合金扩散管、台面管等。1960年左右硅平面工艺和外延技术的诞生，半导体器件的制造工艺获得了重大突破，使得半导体器件向微型化、低功耗和高可靠性方向发展。;2，扩散工艺 在高温条件下，将杂质原子以一定的可控量掺入到半导体中，以改变半导体基片（或已扩散过的区域）的导电类型或表面杂质浓度。 扩散工艺具有以下几方面的优越性： （1）可以通过对温度、时间等工艺条件的准确调节，来控制PN接面的深度和晶体管的基区宽度，并能获得均匀平坦的接面。 （2）可以通过对扩散工艺条件的调节与选择，来控制扩散层表面的杂质浓度及其杂质分布，以满足不同器件的要求。 （3）与氧化、光刻和真空镀膜等技术相组合形成的硅平面工艺有利于改善晶体管和集成电路的性能。 （4）重复性好，均匀性好，适合与大批量生产。;　3.光刻工艺 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。光刻的目的就是按照器件设计的要求，在二氧化硅薄膜或金属薄膜上面，刻蚀出与掩摸版完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 光刻工艺流程一般分为涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀和去胶等步骤。;4.氧化工艺 化工艺的种类： 在半导体生产中有许多种氧化工艺，比较常用的氧化工艺为热氧化。硅的热氧化按下面化学反应式进行 气体种类? ? ? ? 反应式? ? ? ? 速度 O2（干）? ? ? ? Si+O2→SiO2? ? ? ? 慢 H2O或(H2+O2)? ? ? ? Si+2H2O→SiO2+2H2? ? ? ? 快 在氧化过程中要消耗一定量的硅生成一定厚度的二氧化硅。干氧氧化的速度比较慢适合生长比较薄的氧化层。湿氧氧化速度比较快适合生长比较厚的氧化膜，但氧化层致密性不好，光刻容易产生浮胶现象，因此在做湿氧氧化工艺时，通常采用干氧—湿氧—干氧的氧化工艺方法生长二氧化硅薄膜。氧化硅薄膜的作用:二氧化硅薄膜最重要的应用是作为杂质选择扩散的掩蔽膜，因此需要一定的厚度来阻挡杂质扩散到硅中。二氧化硅还有一个作用是对器件表面保护和钝化。;5.外延工艺 在一定的条件下，在一块经过仔细制备的单晶衬底上沿着原来的结晶轴方向，生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的过程，称为外延。这层单晶层叫做外延层。 由于许多半导体器件是直接制作在外延层上的，外延层质量的好坏，将直接影响器件的性能。外延层的质量通常是应满足下列要求：完整性的晶体结构、精确而均匀的电阻率，均匀的外延层厚度、表面应光洁、无氧化、无云雾、表面无缺陷（一般指角锥体、亮点和星型缺陷等）和体内缺陷（一般指位错、层错和滑移线等）要少，对于集成电路的隐埋层还要求无图形畸变现象等。目前在生产中常见的外延质量有角锥体，常说的硅渣，严重影响光刻质量，影响产品的合格率；电阻率不均匀，影响产品参数的控制，很容易导致参数不合格报废。需要外延前注意硅片表面的清洗，减少缺陷，控制好外延的均匀性不是特别的好，所以串片很容易导致参数不合格;6.沉积工艺 （1）PECVD? 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 （2） PVD? PVD（物理气相沉积）涂层也被证明有效加工高温合金。TiN（氮化钛）PVD涂层是最早使用的并仍然是最受欢迎的。最近，TiAlN（氮铝化钛）和TiCN（碳氮化钛）涂层也能很好使用。过去TiAlN涂层应用范围和TiN相比限制更多。但是当切削速度提高后它们是一个很好的选择，在那些应用提高生产率达40%