蚀刻最佳化分析-淡江大学机械与机电工程学系.doc

淡江大學機械與機電工程學系 專題研究 蝕刻最佳化分析 指導教授: 李宗翰 教授 專題生：陳明靖 中 華 民 國 一 百 年 一 月 第一章 緒論 1-1 前言 Wet etching是最普遍也是設備成本最低的蝕刻方式，其影響蝕刻速率的原因有幾點:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度…等。定性而言，增加蝕刻溫度和攪拌都能使效率提高；但是濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49% HF蝕刻SiO2，當然比BOE快得多；但是40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%的KOH慢！ 隨著積體電路中的元件尺寸越做越小，由於化學反應沒有方向性，因而濕式蝕刻是Isotropic的，此時，當蝕刻溶液做縱向蝕時，側向的蝕刻將同時發生，進而造成Undercut現象。非等向性蝕刻(anisotropic etching)，對於單晶矽，111方向比100或是110方向速率慢了兩個級數，因此在蝕刻後留下特定面。 1-2實驗目的 實驗是否能因為給予蝕刻液噴嘴不同的壓力，觀察其造成流量和平板壓力的關係。 第二章 2-1實驗設備-水箱 為了能可視化且能因為設計尺寸而任意改變的器材，我們使用了壓克力當作水箱，在藉由pump的帶動下讓水在幾個水箱內循環。由於水本身太過透明，也可以加一些顏料更方便於觀測流體情況。 2-2實驗設備-蝕刻液霧化噴嘴 我們是使用了中日股份有限公司的噴嘴，此公司出產了許多規格的噴嘴，但是對於積體電路蝕刻上的要求，挑選了其功能是:在單位面積下，各點流量相同。 此JJRP噴嘴還要為了能使用酸鹼性化學液，特別對材料上的設計有所不同，達到耐藥性的效果。 2-3實驗設備-水管架 為了能真實的呈現每次的實驗都能在確定的高度，特別對於不同管徑的水管，做出定高度的架子。 2-4實驗設備-測量壓力的平版 在鑽孔的平台上放入適合的水管，藉由噴霧落下對平台的動能轉換成位能，直接測量高度差即可得參數。 只要轉方向就可以得知各象限的流體壓力情形 第三章 結論 實驗內容和廠商所給的壓力流量關係圖一致。 未來希望能更深入的研究蝕刻液噴霧情況，讓被蝕刻的金屬線路更完整的呈現，不會有過細的情況發生，造成了電阻過大甚至斷路的可能。 参考文獻 1.國立中山大學機械與機電工程學系 噴霧冷卻現象之研究 研究生方崇成 2. 國立中山大學機械與機電工程學系 水噴霧液滴熱場/液膜成長過程特性分析 研究生陳佳偉 3. HYPERLINK .tw/ .tw/ 中日噴霧股份有限公司 4.掌握微機電-楊龍杰教授